请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：LP3985 主题中讨论的其他器件：TLV713、
在对我的设计进行审查时、一位同事抱怨说、在最小输入电压为4、4V 的情况下、5V-LDO 将无法工作、因为数据表中提供了：
'7.4.1 VOUT (目标) 0.3V≤VIN≤6V 下的运行
该器 件在输入电压等于或超过 VOUT (目标)+0.3V 时工作。在输入电压低于最低 VIN 要求时、器件无法正常工作、并且输出电压可能无法达到目标值。'
最小 VIN 要求为： "对于工作负载电流、建议的最小 VIN 为2.5V 或 VOUT (MAX)+额定压降电压(max)中的较大值。"
因此、在我的案例中、最小 VIN 为5V+3%+ 35mV=5、185V、以确保器件能够正常运行！
不清楚：如果器件低于 Vinmin、LDO 输出 MOSFET 是否导通？
我们担心 LDO 根本不起作用！
遗憾的是、没有显示输出电压随输入电压升高而行为的图。
此 LDO 的行为是否与其他 LDO 不同、因此 TI 不得不提及这一点？
在 TI 其他 LDO (TLV713)的数据表中、这个主题描述如下：
'8.1.2压降电压
TLV713使用 PMOS 导通晶体管来实现低压降。 当(VIN–VOUT)小于压降时
电压(VDO)、PMOS 导通器件处于线性运行区域、输入至输出电阻为
PMOS 导通元件的 RDS (on)。 VDO 刻度...
有人对此 LDO 有任何经验吗？
