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[参考译文] CSD18535KCS：使用光耦合器切换 MOSFET

admin
Guru**** 1989775 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD18535KCS
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/772741/csd18535kcs-switching-of-mosfet-using-optocoupler

器件型号：CSD18535KCS

我使用光耦合器将 CSD18535KCS 用作开关。 50kHz 时、光耦合器的输入脉冲为3.3V。 光耦合器的输出为所需的方波、但在将光耦合器输出端子连接到 MOSFET 的栅极和源极之后、输出不是所需的。 充电时间似乎远远超过了所需时间、我认为这是由输入电容 Ciss 造成的。 是否有任何关于如何纠正这种情况的建议？  

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    TI__Guru**** 1989775 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Tejas、

    感谢您考虑我们的 MOSFET。
    光耦合器的输出级不够强、无法直接驱动 FET。 在光耦合器之后、您将需要一个 MOSFET 驱动器 IC 来驱动 FET。
    以下是 TI 精选栅极驱动 IC 的链接： www.ti.com/.../overview.html
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    TI__Guru**** 1989775 points
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    Tejas、

    我看到您单击了"未解决"按钮、但未指明原因或回复任何文本。 您能告诉我们您还需要什么吗？ 如果我几天内没有听到您的声音、我将按照假设问题已得到解决的方式关闭此问题。
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    TI__Guru**** 1989775 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Tejas、
    只需跟进、看看您是否有任何其他问题。 正如我的同事指出的、典型光耦合器的输出驱动能力(几十 mA)通常不足以快速导通和关断 FET。 为了缩短开关时间、需要使用栅极驱动器 IC 或基于晶体管的推挽缓冲器。 该特定的 FET 具有极低的 RDS (on)。 为此、裸片尺寸较大、具有高栅极电荷和输入电容(~5000pF)。 您将需要数百 mA 或 A 来驱动 FET。