主题中讨论的其他器件：ISO5852S、
Hiii、
我正在设计 SIC MOSFET 栅极驱动 器和 栅极驱动器电源。 我已选择 ISO5852 作为驱动程序。 以下是电源规格
输入电压= 15VDC (完全稳压)
开关频率= 100kHz
两个隔离式输出电压
OUT1 =+20Vdc ， 50mA --- 用于顶部 MOSFET
OUT2 =+20Vdc ， 50mA --- 用于底部 MOSFET
一个非隔离式电压5Vdc、100mA 、用于 ISO5852s 的初级部分。
由于我的输入直流电压已完全调节 ，因此 我决定不从输出中获取反馈，这将取消光耦合器的选择 ，并且还提供从初级到次级所需的高隔离。
为了满足上述所有要求、我决定使用 Fly-Buck 拓扑、并选择了 LM5161。 对于变压器 、我从 TDK 中选择了 E25/13/7 N87材料。 为了降低磁芯损耗并避免在较高温度下发生磁芯饱和 、我决定将 Bmax 限制在200mT 以下。 为了限制 Bmax、 我需要将磁场强度限制为 ±20A/m
我已将 Dmax 选为33.33%以获得5V 电压 ，这小于50%的占空比。 选择的变压器匝数比为 NS/NP = 4
从磁芯数据表 Ae = 52.5 mm^2 、 LE = 57.5mm、 AL = 1850nH
np =((15-5)* 3.33)/(0.2 * 52.5)= 3.17 ， 但在3圈时，我只得到磁化电感 = 16.65uH。 为了增加此值，我选择了6圈，在这里我得到的值为66.6uH。 一次侧峰值电流= (0.1 + 0.2 + 0.2 +(0.5/2)) = 0.75A。
此峰值电流下的最大磁场强度为=(6 * 0.75)/ 57.5 = 78.26 A/m ，这使得变压器饱和。 请检查上述设计计算是否正确 、 并建议我限制 H 值。 由于电路板尺寸限制、我不能使用超过 E30的内核。 如果有来自德州的任何 IC 用于 在 开环中驱动正向拓扑，也建议我这样做。
