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[参考译文] CSD19536KTT:CSD19536KTT 在200A 放电电流测试后烧坏

Guru**** 2385340 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD19536KTT
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/772724/csd19536ktt-csd19536ktt-burnt-down-after-200a-discharging-current-test

器件型号:CSD19536KTT

您好:

我 在 BMS 中的 PCB 上并联了5个 CSD19536KTT MOSFET。

我在电池组放电测试中测试了50A (32秒) --> 80A (15秒)--> 100A (5秒)--> 200A (5秒)--> IDLE (10秒)--> 50A (32秒) --> 80A (15秒)--> 100A (5秒)--> 100A (5秒)....

此循环始终重复、直至蓄电池电量耗尽。

 当放电电流高达200A 时、每个 MOSFET 共享最大电流40A。

℃完成后、MOSFET 的温度高达90 μ V。

在 ℃几次后、我发现中间两个 MOSFET 中的5个发生短路、其温度超过100 μ V。

我不知道为什么 CSD19536KTT 的可靠性如此差。

您对解决此问题有什么想法吗?

谢谢

Morris

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Morris、

    感谢您来到我们的并使用我们的 MOSFET。

    并联5个 MOSFET 时需要非常小心、以处理这些 FET 之间的静态和动态电流共享造成的高电流。 遗憾的是、假设在您的应用中实现完美的电流共享(40A/FET)是不现实的。 实际上、您可能会将所有电流输入到远远小于5个 MOSFET 中。

    以下是有关如何改善功率 MOSFET 间电流共享的一些提示:
    对于所有 FET、包括栅源极和漏源极环路、PCB 布局都需要对称。
    2.需要调整开关速度,以允许所有 FET 以大约相同的延迟开通和关断。 几 ns 的延迟不匹配会使 FET 过载并可能导致 FET 损坏。
    每个FET 都需要有自己的外部 Rg、以防止开关期间出现振荡。

    我们对此没有具体的应用手册、但如果您通过谷歌搜索并联功率 MOSFET、您可以找到有关如何并联 MOSFET 的大量文献。

    如果您仍有问题或已经完成上述提示、我建议您联系您当地的 TI 支持团队、他们可以提供合适的技术资源来帮助您解决问题。