[参考译文] UCC21520：启动期间消耗的电流过大

您好、Selvam、

您是否使用 UCC21520A？ 请注意、UCC21520A 在 VDDA/VDDB 上具有最高6.3V 的 UVLO 开启阈值 看起来电源已调整为标称6.5V、但如果电源环路中的电感过大、在以非常高的频率进行开关时、UVLO 阈值可能会在启动时意外跳闸。 尽量缩短 LDO 输出和 UCC21520A 旁路电容器之间的距离。

电路输入存在几个稳健性问题：

• INA/INB 连接没有数据表中建议的低通滤波电容器。  这些电容器对于确保 INA/INB 在 LLC 启动等高 dv/dt 事件期间保持稳定至关重要。 10pF 和47pF 之间的小值应该足够了。 为了获得最佳性能、请确保电容器直接接地到低阻抗接地路径、例如控制侧电路下方的不间断接地层。
• 如果未使用 DISABLE 引脚、则应将其直接短接至 GND。  通过一个没有有源网络驱动器的4.7kΩ Ω 电阻器连接到 GND、高 dv/dt 会将电流容性地耦合到禁用引脚的高阻抗上、并导致错误的禁用触发。
• 为了增加抗噪性能、DT 引脚应连接 VCCI (如果未使用)、或者在 DT 引脚上添加一个2.2nF 的 GND 电容器(即使未使用 DT 电阻器)。  与其他输入引脚一样、高 dv/dt 可能会将噪声容性耦合到 DT 引脚上、从而导致编程的死区时间失真。 这在高驱动频率(>500kHz)下尤其重要、因为 DT 失真在这些频率下占总占空比的很大一部分。 通过在 GND 上添加一个2.2nF 电容器或通过将 DT 连接到 VCCI 来未使用 DT、可以降低噪声。

链接的原理图中的波形显示 INA 输入上的严重失真。 这通常是在 INA/INB 连接上不使用建议的电容器导致的、我建议尽可能使用这些电容器。 这也可能是长测量环路的结果、因此请确保在探测输入时尽可能减小短路连接的环路面积。

如果 FET 在栅极-源极之间发生低阻抗短路时发生故障、驱动器很可能会损坏、因为它会在占空比的导通部分消耗非常高的电流。 这还有助于解释自举 LDO 和二极管可能发生故障的原因、因为故障输出会消耗大量电流。

此致、

您好、Selvam、

绝对最大额定值包括在200ns 内、OUTx 到 VSSx 的重复瞬态额定值为-2V。 如果您看到电压尖峰超过此方向、OUTx 和 VSSx 之间的肖特基钳位可以将尖峰降低到最大额定值范围内。

在负尖峰期间、OUTx 引脚主要依赖于内部低侧输出 MOSFET 的体二极管。 因此、预测负尖峰导致的故障点充其量也不准确、并且裸片温度、尖峰幅度和尖峰持续时间之间存在强烈的相互依赖关系。 TI 建议使用-2V 持续200ns 的负尖峰限值、但如果驱动器功率耗散和裸片温度最小化、则可以使用更大的尖峰运行(例如、在您的应用中可以看到-3V 持续20ns)。 我建议尽可能在绝对最大额定值中建议的限值内运行。

此致、