主题中讨论的其他器件:TINA-TI、 DRV8307、 TIDA-00472
工具/软件:TINA-TI 或 Spice 模型
大家好、
是否有人可以告诉我 CSD88537ND 的高侧和低侧 MOSFET 的预期近似功率耗散?
尤其是 通过低侧 MOSFET 的预期功率耗散在理想情况下会是多少?
谢谢你
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工具/软件:TINA-TI 或 Spice 模型
大家好、
是否有人可以告诉我 CSD88537ND 的高侧和低侧 MOSFET 的预期近似功率耗散?
尤其是 通过低侧 MOSFET 的预期功率耗散在理想情况下会是多少?
谢谢你
您好 Siddharth、
我收到了同事的回复:
我没有一个用于显示用于 BLDC 控制的 MOSFET 中功率损耗计算的配套资料。
一个快速参考应该是 TIDA-00472。 设计指南文档的第4.2节显示了基于 IGBT 的逆变器的损耗分析。 文档链接为 http://www.ti.com/lit/ug/tiduar7a/tiduar7a.pdf
本文档显示了 IGBT 中的 RMS 电流、即使对于 FET 也是如此。 但是、设计人员必须使用相同的参数来计算 MOSFET 导通损耗、开关损耗和死区时间内的二极管损耗。 唯一需要考虑的一点是每个 FET 在总电气周期的1/3内导通。