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[参考译文] TINA/Spice/CSD88537ND：CSD88537ND 高侧放大器；低侧近似功率耗散

admin
Guru**** 657500 points
Other Parts Discussed in Thread: TINA-TI, CSD88537ND, DRV8307, TIDA-00472
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/805781/tina-spice-csd88537nd-csd88537nd-high-side-low-side-approximate-power-dissipation

器件型号：CSD88537ND
主题中讨论的其他器件：TINA-TI、 DRV8307、 TIDA-00472

工具/软件：TINA-TI 或 Spice 模型

大家好、  

是否有人可以告诉我 CSD88537ND 的高侧和低侧 MOSFET 的预期近似功率耗散？  

尤其是 通过低侧 MOSFET 的预期功率耗散在理想情况下会是多少？

谢谢你  

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    TI__Guru**** 657500 points
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    您好 Siddharth、
    感谢您关注 TI MOSFET。 我可以提供 CSD88537ND 的功率耗散估算、但需要了解有关应用和条件的更多详细信息：降压转换器或电机驱动、输入电压范围、开关频率、输出电压和电流以及输出电感器。 对于降压转换器、您还可以使用此电子表格估算损耗： www.ti.com/.../slpc015。
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    TI__Guru**** 657500 points
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    感谢 John 的回复、

    此应用程序适用于使用 TI DRV8307的 BLDC 电机驱动器。 您不一定要进行实际测量、但您能告诉我大约是多少。 当 MOSFET 由 DRV8307驱动时，高侧和低侧 MOSFET 每相的功率耗散峰值和 rms
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    TI__Guru**** 657500 points
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    您好 Siddharth、
    对于 BLDC 应用、FET 的功率损耗主要来自导通损耗、因为开关频率通常较低(~20kHz)。 使用在半桥中配置的 FET、您可以假设一个 FET 始终处于开启状态(除了较短的死区时间)。 因此、两个 FET 的总导通损耗为 IRMS x IRMS x RDS (on)。 对于 RDS (on)、您需要考虑器件的 VGS 栅极驱动电压和温度、因为两者都会影响电阻。 如需更多信息、请参阅此博客： e2e.ti.com/.../how-to-minimize-mosfet-conduction-loss-in-battery-powered-motor-drives
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    TI__Guru**** 657500 points
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    感谢 John 的回复、如果我有足够的间隔时钟来驱动高侧和低侧 FET (足够的死区时间)、在这种情况下、不会出现高侧和低侧 MOS 一起导通的情况。 如果我们假设低侧 MOS 仅在电阻上负载、或者至少在高侧和低侧 MOS 的输出结上没有电容、那么低侧 MOS 的主要传导源是什么？
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    TI__Guru**** 657500 points
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    您好 Siddharth、

    我收到了同事的回复：

    我没有一个用于显示用于 BLDC 控制的 MOSFET 中功率损耗计算的配套资料。  

    一个快速参考应该是 TIDA-00472。 设计指南文档的第4.2节显示了基于 IGBT 的逆变器的损耗分析。 文档链接为 http://www.ti.com/lit/ug/tiduar7a/tiduar7a.pdf

    本文档显示了 IGBT 中的 RMS 电流、即使对于 FET 也是如此。 但是、设计人员必须使用相同的参数来计算 MOSFET 导通损耗、开关损耗和死区时间内的二极管损耗。 唯一需要考虑的一点是每个 FET 在总电气周期的1/3内导通。

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    TI__Guru**** 657500 points
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    感谢 John 的回答，通过高侧 MOSFET 的功率耗散是否等于通过低侧 MOSFET 的功率耗散？？

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    TI__Guru**** 657500 points
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    Siddharth、

    由于假定提供给负载的功率来自电源、通过 HS FET、通过负载、通过 LS FET 返回、是的、因此假设功率耗散非常接近或相同。

    此致、

    -Adam