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[参考译文] TPS40200：建议在 MOSFET 的源极和栅极之间使用齐纳二极管

admin
Guru**** 2383620 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS40200
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/805185/tps40200-recommended-zener-diode-between-source-and-gate-of-mosfet

器件型号：TPS40200

您好 Katelyn-San、

 

您在图31 (8V 至12V 输入、2.5A 输出时3.3V 至5.0V)使用的是 BZX84C12T (二极管、齐纳二极管、12V、350mW)。

您能否告诉我们在“24V 输入5.0V 输出待定输出电流”时的推荐器件？

 

请尽快答复为荷。

 

此致、

Kanemaru

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    TI__Guru**** 2383620 points
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    您好 Kanemaru、

    D3的目的是保护 Q1的栅极并对 SYNC 信号进行电平转换。 D3无需更改。 确保 Q1的漏极能够维持 VDD。

    此致、Robert
  • 0
    TI__Guru**** 2383620 points
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    您好、Robert - San、

     

    很抱歉让你感到困惑。

    我想知道 D1。

    您能否告诉我们在“24V 输入5.0V 输出待定输出电流”时的推荐器件？


     

    此致、

    Kanemaru

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    TI__Guru**** 2383620 points
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    您好 Kanemaru、

    D1的作用是保护 Q2的栅极和 TPS40200中的栅极驱动电路免受 Q2米勒电荷等因素导致的大瞬态电压的影响。 由于 Q2的高电压容差以及 IC 栅极驱动电路容差不随输入电压的变化而变化，因此在重新设计更高的输入电压时，不应更改此二极管。

    此致、Robert
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    TI__Guru**** 2383620 points
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    您好、Robert - San、

    感谢您的快速回复。

    我知道。 非常感谢。

    此致、

    Kanemaru