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[参考译文] ISO5451:使用外部电流缓冲器电路时的有源米勒钳位

Guru**** 1959305 points
Other Parts Discussed in Thread: ISO5451
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/803919/iso5451-active-miller-clamp-when-using-the-external-current-buffer-circuit

器件型号:ISO5451

您好!

我们在现有的栅极驱动器电路中使用 TI ISO5451。

对于 SiC-半导体 的驱动、我们希望添加数据表(下图)中推荐的外部电流缓冲器电路、以获得更高的峰值输出电流能力。

通过将 PIN7直接连接到 SiC 半导体的栅极、仍然可以使用 TI ISO5451的有源米勒钳位功能吗?

 当栅极电压低于2V 时、钳位变为有效。 如果在不知道 SiC 半导体的实际栅极电压的情况下内部钳位器件处于活动状态、这是否会导致问题?

感谢你的帮助。

Tobi

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    您好 Tobias、

    很抱歉、我看不到您附加的图片。 您可以尝试以不同的方式连接它吗?

    您仍可以将内部米勒钳位与缓冲器电路配合使用。 但是、如果您在 VEE2上使用负偏置、则最好仅使用外部缓冲器的下拉电阻器、因为与内部米勒钳位相比、它在物理上更靠近 SiC MOSFET 的栅极。 因此、在这个应用中也许没有必要使用钳位。

    此致、
    Audrey
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    您好、Audrey、

    感谢你的答复。 你是对的、不知怎么说、照片不包括在内。 现在、您应该在上面看到它。

    米勒钳位仍然可以使用。 正如您所写的那样、目的是使用米勒钳位与单极栅极电压电源、或者使用下拉 BJT 并在不将引脚7连接到栅极的情况下为栅极提供双极电压。

    如果您同意或存在错误、请告诉我。

    谢谢、此致、

    Tobi

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    您好 Tobias、

    是的、可以这样做。 如果驱动器非常靠近 SiC 器件、则米勒钳位将非常有用。 如果它远离、钳位引脚的电流环路中将存在寄生效应、因此不是很有用。

    此外、还可以将外部 PNP BJT 连接为外部钳位、以便将其放置在靠近 SiC 器件的位置。 PNP 的栅极可连接到 CLAMP、后者可测量栅极电压。 达到阈值后、PNP 将栅极下拉至 VEE。 如果它比 ISO5451的内部 FET 更靠近栅极、那么它的效率会更高。

    此致、
    Audrey
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    您好、Audrey、

    感谢您提供详细的反馈、这对您有很大帮助。

    此致、

    托比亚斯

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