[参考译文] TPS92641：SDRV 输出上的脉冲、SDIM 始终为高电平

您好 Martin、

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此致、

您好 Martin、

选择 MOSFET 的基础知识是开关频率、LED 电流、Rdson、Qgate 和 Vgsthreshold。
TPS92641是同步的、因此两个 MOSFET 的导通损耗为 I^2*R。 在50%占空比下、每个部件中将占一半、如果在一个 MOSFET 中占90%、则导通损耗的90%将位于该 MOSFET 中(I、电流、可以是直流电平、除非纹波电流较高)。

Qgate 与 Vgsthreshold 一起需要考虑一些问题。 TPS92641通过线性生成的电压驱动栅极、这可能会因较大的 QGATE /高开关频率/高 TPS92641输入电压而导致很大的损耗。

接下来、开关节点压摆率将确定开关损耗的程度。 如果 Qgate 平坦区较大、压摆率将会更慢、从而导致更高的开关损耗。 当以更高的开关频率运行时、这会成为一个更大的问题。 由于采用 TPS92641栅极驱动器、Vgsthreshold 就是其中的一部分(对于任何驱动器都是如此)。 当栅极信号变为高电平时、有一个阻抗拉电流从 TPS92641流向 MOSFET。 如果 Vgs 阈值较高、则压摆率会变慢、因为该阻抗上的压降较小、例如8V 驱动电压和具有6V 平坦的 MOSFET、在 MOSFET 平坦区期间留下2V 驱动。 另一方面、当 MOSFET 尝试在 Vgs 阈值非常低的情况下关闭时、关断压摆率将非常慢(与上面 MOSFET 平坦区为2V 时类似)。 较低的栅极电荷器件使这一点变得更不用担心、但在栅极驱动范围的中间位置查找 Vgsthresholds 是一个良好的开端。 查看开关波形将确认它是否正常工作。

还涉及线圈和开关频率。 电流越高，I^2*R 损耗以及开关损耗就越高。 更高的开关频率意味着更大的开关损耗。 这将成为整个工作范围内开关损耗与导通损耗、EMI /噪声与器件成本与性能之间的平衡。 当然、在更高的功率水平下、这可能是一个重要的设计注意事项。

此致、

你好

非常感谢这一有益的解释。

此致

Martin