大家好、
我正在使用输入电压范围为100-800v 的半桥电路、电路拓扑如下所示。 当我使用栅极驱动器 Ucc21520驱动 MOSFET 时、当我不在半桥的高侧和低侧 MOSFET 的漏极源上施加任何输入电压时、高侧和低侧栅极脉冲良好且无噪声。
但是、当我在功率侧(漏源极)的 MOSFET 上施加输入电压(100-300V)时、较高侧的栅极脉冲偏移会在栅极脉冲关闭期间增加、但与我在较低的 MOSFET 上无法看到的情况相同。 我最初想到的是米勒效应、但它仅在较低侧栅极脉冲中的较高侧清晰。
下面、我将在较高侧和较低侧附加栅极脉冲照片。 存在偏移的栅极脉冲是较高侧 MOSFET、而在没有偏移的情况下清除脉冲的栅极脉冲是较低侧脉冲。 只有在提供漏源输入电压时、我才能看到这些特性。
这些偏移随着输入电压的增加而增加。 请知道原因是什么。 正在等待回复


