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[参考译文] UCC21520:全桥转换器的高侧 MOSFET 上的栅极脉冲问题

Guru**** 2538955 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC21520

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/804356/ucc21520-gate-pulse-issue-on-higher-side-mosfet-of-full-bridge-converter

器件型号:UCC21520

大家好、  
我正在使用输入电压范围为100-800v 的半桥电路、电路拓扑如下所示。 当我使用栅极驱动器 Ucc21520驱动 MOSFET 时、当我不在半桥的高侧和低侧 MOSFET 的漏极源上施加任何输入电压时、高侧和低侧栅极脉冲良好且无噪声。

但是、当我在功率侧(漏源极)的 MOSFET 上施加输入电压(100-300V)时、较高侧的栅极脉冲偏移会在栅极脉冲关闭期间增加、但与我在较低的 MOSFET 上无法看到的情况相同。 我最初想到的是米勒效应、但它仅在较低侧栅极脉冲中的较高侧清晰。

下面、我将在较高侧和较低侧附加栅极脉冲照片。 存在偏移的栅极脉冲是较高侧 MOSFET、而在没有偏移的情况下清除脉冲的栅极脉冲是较低侧脉冲。 只有在提供漏源输入电压时、我才能看到这些特性。

这些偏移随着输入电压的增加而增加。 请知道原因是什么。 正在等待回复

No photo description available.

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  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好,Vinaykumar ,

    我在高功率驱动器组的应用团队工作、可以帮助您解决问题。 感谢您提供原理图和示波器截图、这对您有很大帮助。

    看起来这可能是一个探测性问题。 似乎正在使用高压差分探头探测高侧栅极。 高电压差分探头通常具有有限的共模抑制比(CMRR)、这允许一些较高频率的开关节点电压耦合。 这将更加缓慢地趋于稳定、但可能会导致您在采集中看到的一些偏移。 即使您使用相同的探头来测量低侧栅极,它也不必处理抑制开关节点电压的问题,而且看起来更干净。

    如果这不起作用,您能否回答以下问题?

    栅极至源极之间的电容器是否已组装? 什么价值? 该电容器只是增加了栅极驱动器的额外负载、在大多数系统中不需要该电容器。

    S1-GND 是什么样子的?

    如何探测低侧栅极?

    如何探测高侧栅极? 探头器件型号?

    FET 器件型号?

    S1上是否有负载?

    所有外部组件(Cboot、Rg、RGS、CGS、Rboot)的值?

    如果这有助于解决您的问题、请按绿色按钮吗? 如果没有、请随时提供更多信息。

    谢谢、此致、

    John