This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] UCC25600:UCC25600如何避免外部 MOSFET (高侧和低侧 NMOSFET)击穿?

Guru**** 2387060 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC25600
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/803810/ucc25600-how-does-ucc25600-avoid-shoot-through-of-external-mosfets-high-side-and-low-side-nmosfets

器件型号:UCC25600

 大家好、

 我的一位客户希望 获得  有关 UCC25600的以下问题的答案。

 请告诉我您的答案。

问:UCC25600如何避免外部 MOSFET (高侧和低侧 NMOSFET)击穿?

   还是 UCC25600 没有  避免击穿的任何功能?

 此致、

 Kazuna Nakai。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Nakai-San

    为了防止击穿、UCC25600具有死区时间、用户可通过在 DT 引脚和 GND 之间连接一个电阻器来对其进行编程。 死区时间是指两个 FET 都关断时、这可防止击穿。 为了防止任何击穿、例如 DT 到 GND 意外短路、最小死区时间为120ns。

    此致、
    Eric