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[参考译文] CSD17527Q5A：CSD17527Q5A

admin
Guru**** 1617045 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD17527Q5A, CSD17579Q5A
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/801677/csd17527q5a-csd17527q5a

器件型号：CSD17527Q5A
主题中讨论的其他器件： CSD17579Q5A

您好、先生、

我们的客户想知道、如果 CSD17527Q5A 在 VD=29.3V 时长时间工作有任何风险？

Hugo

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    TI__Guru**** 1617045 points
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    您好 Hugo、
    感谢您向客户推广 TI MOSFET。 以29.3V 的峰值 VDS 运行 CSD17527Q5A 不是问题。 我担心的是、此设计中的组件变化没有太大的裕度。 此外、在低温下 FET 击穿电压也会降低。 根据波形、输入电压看起来是~20V。 由于时间刻度的原因、我无法看到有关相位波形的任何详细信息。 是否可以放大波形、以便我可以查看详细信息。 我假设有一些振铃、我建议查看以下有关振铃减少的应用手册 ：www.ti.com/.../slpa010.pdf。 最后、不建议在新设计(NRND)中使用 CSD17527Q5A、我们建议使用 CSD17579Q5A 作为替代器件。
  • 0
    TI__Guru**** 1617045 points
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    尊敬的 John：

    感谢您的支持、
    我们将与客户核实缩放波形。


    Hugo
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    TI__Guru**** 1617045 points
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    您好 Hugo、
    只是跟进。 再说一遍、您始终希望在设计中内置一定的裕度。 一些客户希望拥有10%至20%的裕度、以避免因不同批次的大量器件而出现潜在问题。 TI 对所有 FET 进行雪崩测试。 但是、我们不建议在重复雪崩模式下运行 FET、因为这可能会降低 FET 的性能并导致长期可靠性问题。 通过适当的电路设计和 PCB 布局、相位节点电压尖峰可被大大减少。 输入 MLCC 去耦电容器的放置至关重要。 通常情况下、相位节点上的 R-C 缓冲器可以将电压尖峰降低到可接受的水平并具有足够的裕度。 添加一个与自举电容器串联的小值电阻器和/或添加一个栅极电阻器等其他技术可以使 FET 减慢足够的速度、从而减少振铃。