[参考译文] UCC27710：VDD

Takashi、您好！
感谢您为您的客户提供 UCC27710半桥驱动器支持。 对于 MOSFET 和 IGBT 的建议 VDD 范围、有几个注意事项。
对于大多数 MOSFET 应用、10V 至12V 的 Vgs 足以实现低 Rdson 和高电流能力。 对于 IGBT、典型驱动电压更高、15V 电压为公共电压、以确保低 VCE 饱和电压。
您能否评论一下客户为何希望使用 MOSFET 在19V 电压下运行 VDD？
之所以建议使用高 VDD 和低栅极电阻、是因为在某些应用中、某些 MOSFET 器件开关转换可能具有非常高的 VDS dV/dt。 由于极高的 dV/dt 条件、可能会出现栅极驱动器问题。 其中 IGBT 的开关 dV/dt 要低得多、即使在 Vgs 电压较高的情况下也是如此。
对于长期运行、我们只能建议 VDD 在建议的 VDD 范围内运行、并且在任何短期瞬态条件下都应保持低于绝对最大值。
将 VDD 限制在17V 推荐范围是否不切实际？

请确认这是否回答了您的问题，或者您可以在此主题上发布其他问题。

此致、
Richard Herring

山口您好！

在某些 MOSFET 开关条件下 VDD 较高的情况下、开关节点上可能会发生非常高的 dV/dt Vds 上升时间和较高的 dV/dt 振铃。

当 HS 引脚上具有高 dV/dt 时、超出数据表规格可能会导致驱动器输出处于不正确的状态、或者驱动器输出可能具有超出数据表额定值的电压下冲。

请确认这是否回答了您的问题、或者您可以在此主题上发布其他问题。

此致、

Richard Herring