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[参考译文] LM5180-Q1:电源管理论坛

Guru**** 2538950 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5180-Q1

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/801432/lm5180-q1-power-management-forum

器件型号:LM5180-Q1

大家好、

我对 LM5180-Q1有两个问题

1-我能否使用 LM5180-Q 设计多输出反激式、在这种情况下热补偿将如何发挥作用?

2-我想计算 LM5180-Q IC 的功率损耗,我需要有关集成 MOSFET 的更多信息。 有人可以帮我解决这个问题吗?

谢谢、

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    您好!

    我将与产品专家跟进您的问题、他将跟进您的问题。

    此致、
    Katelyn
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    您好、Hamza、

    您可以通过查看所需温度范围内的输出电压变化来检查所需的温度补偿。 请注意、它还取决于使用肖特基二极管还是标准开关二极管、因为它们具有正向电压差系数。

    就 MOSFET 功率损耗而言、0.4欧姆的 RDS (ON)会导致传导损耗。 开关损耗和输出电容损耗极小。 反激式中的主要损耗影响因素是整流二极管。

    此致、
    Tim
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    Timothy Hegarty 先生、您好、

    对于第一个问题:如果仅使用一个 LM5801-Q1 IC 实现多路输出(4 * 15V)、应补偿哪个输出? 这种补偿是否会影响其他输出?

    对于第二个问题:我想估算 IC 的功率损耗、并通过计算其功率应力来确保其在85°C 的环境温度下正常工作、因此我需要有关集成 MOSFET 的更多信息(开启和关闭时间)。

    感谢您的支持、

    此致、

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    您好、Hamza、

    您可以对需要在整个温度范围内实现最佳精度的输出进行热补偿。 这也应该有助于另一个输出。

    功率 MOSFET 在零电流(ZCS)下导通、因此它只是需要考虑的关断损耗。 对于关断开关损耗计算、您可以假设总开关时间低于20ns。

    此致、
    Tim
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    感谢 Timothy Hegarty 先生的支持。