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器件型号：TPS62090-Q1 1.温度项目为何如此不同？ 请解释原因？
2.为什么 TPS62090RGTR 的热阻会增大？ 芯片材料是否有任何变化？
| TPS62090RGTR | TPS62090QRGTRQ1 | |
| 温度 | -40至85 | -40至125 |
| V (ESD) 人体放电模式(HBM) |
±2000V | ±2500 |
| V (ESD) 充电设备模型(CDM) |
±500V | ±1500 |
| RθJA μ A (__LW_AT__Ω 结至环境热阻）Ω |
47°C/W | 45.6°C/W |
| RθJCtop μ A (__LW_AT__Ω 结至外壳(顶部)热阻）Ω |
60°C/W | 58.9°C/W |
| RθJB μ A (__LW_AT__Ω 结至电路板热阻）Ω |
20°C/W | 19°C/W |
| ψJT μ A (__LW_AT__结至顶部特征参数） |
1.5°C/W | 1.1°C/W |
| ψJB μ A (结至电路板特性参数） |
20°C/W | 19°C/W |
| RθJCbot μ A (Ω 结至外壳(底部)热阻）Ω |
5.3°C/W | 4°C/W |
