您好！
我们希望 在100kW EV 电池充电器中使用 UCC21750或 UCC21710-Q1来驱动 SiC MOSFET。 我们需要18A 的峰值电流要求(拉电流/灌电流)、在100kHz 的开关频率下、上升和下降时间小于50ns。 UCC21750/UCC21710无法提供这么大的峰值电流。 为了完成此 任务、我们希望使用外部 P 沟道或 N 沟道 MOSFET。 我们需要在 MOSFET 过流情况下进行软关断。 当 使用外部 MOSFET 缓冲器进行栅极驱动时、请建议如何使用这些 IC 来获得软关断功能。
谢谢、此致、
Raju Baddipadige
您好、Raju、
BJT 缓冲器可与 UCC21750和 UCC21710-Q1搭配使用、以提高电流驱动强度、从而满足您的开关要求。 如下图所示、可通过添加一个与 VEE 串联的电容器和电阻器来实现 STO 功能。
电容器 C_STO 基于以下公式得出：C_STO =(I*TOFF)/(VDD-VEE)。 其中 I 是 UCC217xx 的 STO 电流、TOFF 是所需的 STO 时间、VDD 和 VEE 是电源电压。 存在 R_STO 以限制正常关断期间的电流、其中 R_STO >(VDD-VEE)/10。
此致、
Audrey
您好、Raju、
不幸的是、您插入的规格并未显示给我。 但是、我仍然可以回答您的问题。
功率 MOSFET 的上升和下降时间取决于电流驱动。 NPN/PNP 的上升/下降时间将主要影响从输入到输出的传播延迟。
2.这在驱动程序应用中是正常的。 BJT 缓冲器的用途是增加峰值电流，进而增加 MOSFET 整个转换过程中的电流驱动。 峰值栅极电流发生在功率 MOSFET 从低电平状态转换到阈值电压期间、之后栅极电流减小、如下面 I 所附的理想导通波形所示。 如前所述，栅极电流逐渐减小，而 MOSFET 栅极的电压则增加。 在平坦区域、栅极电流是恒定的。 一旦驱动电压等于 VGS、则不再施加栅极电流。 如图所示、MOSFET 的电压和电流转换(即开关损耗)发生在第2和第3个间隔内。 与栅极驱动器 IC 相比，缓冲器增加的驱动强度可通过在整个过程中提供更高的驱动电流来降低开关损耗。
有关更多详细信息，请查看“MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路基础知识”。 它还包含有关 BJT 缓冲器电路的部分。
3.它可能会进一步增加传播延迟，但我需要更详细地加以研究。
此致、
Audrey
