[参考译文] CSD17308Q3：MOSFET 峰值浪涌耐受电压

尊敬的 John：
谢谢。 您是否在相同的封装中具有更高的电压 MOSFET？ 此外、您还有适用于 Toshiba U-MOSVIX-H 器件的 CrossRef。 他们声称它具有低 Rdson 和更高的额定电压。
此致
苏布拉马尼

您好、Subramani、
在3x3mm SON 中、我们有以下更高电压的器件：

CSD18543Q3A、BVDS=60V、最大15.6m Ω@ 4.5VGS、最大9.9m Ω@ 10VGS
CSD19538Q3A、BVDSS=100V、最大61m Ω@ 10VGS
CSD19537Q3、BVDSS = 100V、最大14.5m Ω@ 10VGS

您是否有想要我们交叉参考的 Toshiba 器件的器件型号？ 该产品系列中似乎有很多器件。 您是否会考虑使用替代封装？

您好、Subramani、
我只是想跟进一下、看看您是否需要任何其他信息。 否则、我将关闭此线程。