[参考译文] UC2825：温度升高的原因

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/800903/uc2825-reason-for-temperature-increase

器件型号：UC2825

一位客户正在评估 UC2895、但 IC 温度上升约70℃（Ta：20℃⇒90℃）。

请告诉我以下两点：

①How μ A 来计算 IC 的功率耗散

②Idea μ A、用于降低温度(= IC 的功率耗散)

Vin 或 Fsw 降低是否效果良好？

UC2895条件和信息如下：

・μ V 输入电压：24V、Fsw：100kHz、占空比：50%(推挽)

・FET：2SK3608-01S (已连接数据表)

e2e.ti.com/.../2SK3608_2D00_01S.PDF

・Ω 二极管：RF081M2STR (已连接数据表)

e2e.ti.com/.../RF081M2S.pdf

・变压器：定制

・未检测到任何保护功能

・高温仅 UC2825。

电路板、FET 和其他组件不是高温。

如果需要详细信息、请通过电子邮件通知我

此致、

Satoshi

6 年多前

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2511985 points

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您好 Satoshi、

IC 的总功耗为 PD=Vcc * IVCC。尽管静态 Vcc 电流仅为1.1mA、但总电源电流更高、具体取决于输出电流。总 Vcc 电流(IVCC)是静态电流和平均输出电流(Iout)的总和。已知工作频率和 MOSFET 栅极电荷(Qg)、可以通过公式计算平均输出电流(Iout)：Iout = Qg×Fsw。
为了获得准确的功率耗散、您可以直接测量 Vcc 引脚的电压和流入 Vcc 引脚的电流、然后进行乘法。
因此、根据 PD 等式、我们可以尝试降低工作频率 Fsw、选择具有较小 Qg 的 MOSFET、并降低 Vcc 电压、但必须处于建议范围内。

此致、
Teng

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