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[参考译文] BQ24160:弱源的定义

Guru**** 2382630 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ24160
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/842262/bq24160-the-definition-of-weak-source

器件型号:BQ24160

尊敬的团队:

我的客户发现电源有充电问题,充电器会显示“弱电源”,但是数据表中没有“弱”电源的定义,您能帮助澄清这一定义吗? 谢谢你。

此致、

Polly Chung

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    您好、Polly、

    数据表部分

    9.3.16.3不良源检测

    介绍小时不良(弱)源检测功能。  提到的 V (BADSOURCE)阈值是当前的 VINDPM 设置。

    此致、

    Jeff

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    您好 Jeff

    那么、假设弱输入源为 V (UVLO=4V MAX)< Vin (弱源)< V (INDPM=4.28V、由 I2C 设置)、对吧?

    谢谢。

    乔治

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    您好 Jeff

    更多问题,总结 :

    1.假设弱输入源为 V (UVLO=4V MAX)< Vin (弱源)< V (INDPM=4.28V、由 I2C 设置)、对吧?

    2.忽略"弱源"或<Vuvlo" event by charger and keep charging? 的任何方法  (不会实施、只是用于进一步测试的权变措施)

    3.如果浪涌电流导致 Vin 降至 Vin (DPM)以下、触发故障事件的脉冲宽度是多少?

      (例如:Vin 0.5ms? 或>1ms?)

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    尊敬的乔治:

    RE1:数据表中称为 VBADSOURCE = VINDPM 设置的弱源阈值。  如果输入电压降至 VBADSOURCE=VINDPM、输入电流实际上会降至0A

    RE2: 无法忽略 VIN

    RE3: 针对不良/弱源检测的去毛刺脉冲为32ms。

    此致、

    Jeff

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    您好 Jeff

    我们发现 "开始充电"时浪涌电流较高、 浪涌电流较高、Vbat 较低...

    有时、浪涌电流会导致输入电源弱或坏、然后停止充电...

    是否要与您确认 bq24160上的 VAC&VSYS 或 VSY&VBAT 之间的软启动?

    是否有减小浪涌电流的想法? 是否有要改进的寄存器设置?  (充电电流:700mA; Vindpm:4.28V)

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    尊敬的乔治:

    提供 SYS (因此通过 BATFET 提供 BAT)的降压转换器 在上电时具有软启动。  仅在 IN/USB 上升至 UVLO 以上后的前30ms 内发生不良源检测。      当您启用充电或在加电后产生负载瞬态时、不会发生这种情况。   发生这种情况时、您能否提供输入电压、输入电流、VSYS 和 ISYS 的示波器截图?

    此致、

    Jeff

     

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    您好 Jeff

    开始充电并通过电池负载时的浪涌电流、如下图所示、它似乎与差值 VINDPM 和 VBAT 具有正相关性。

    因此、较高的浪涌电流和较低的 Vbat ...

    BR、

    乔治

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    尊敬的乔治:

    您的数字没有显示出来。  但总之、IC 在较低的电池电压下的行为会有所不同:

    VBATUVLO=2.5V < V (BAT)<VBATSHRT=3.0V - Icharge=ISHORT=50mA so I would not expect inrush caused by battery current

    V (BAT)< VBATUVLO=2.5V -无补充模式、因此如果您的 ISYS 在加电时较大、则电池不可补充

    如果电池电 压高于3.0V、我建议在启动时禁用充电或降低 ICHARGE。

    此致、

    Jeff

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    您好 Jeff

     我们测量的浪涌电流(从充电器到电池)在电池~3.4V 时为1.5A、在电池~3.9V 时为1.1A。

    (充电电流:700mA,系统负载~200mA)

    交流电压有时可能会降至4.1V、这将触发充电器保护并停止充电。

    这就是我们要解决的问题。

    可能电压降也与适配器中的输出电容有关、但是、我们希望通过充电器找到解决方案、最好使用 SW 解决方案(例如、 寄存器设置)。

    谢谢。

    乔治

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    您好 Jeff

    我在答覆之前已附上数字。

    您对寄存器设置的改进有什么想法吗?

    谢谢。

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    尊敬的乔治:

    您是否可以修改软件以便这样做

    1:在 IN/USB 连接时禁用充电

    2. 充电最初< 500mA,然后升至更高

    2.输入电流最初< 500mA (或您可以使用的最低电流、但仍保持系统正常运行)、然后再升高

    此致、

    Jeff

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    您好 Jeff

    当 Vin 为弱源时、充电器将关闭 Vin 和 Vsys 之间的栅极。

    并将每1~2秒重试一次?

    此外、当 Vin < VUVLO 时会出现某种行为?

    谢谢。

    乔治

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    乔治

    如果电源较弱、充电器会关闭 Q1、即 IN/USB 和 PMID 之间的 FET、PMID 是降压转换器的输入。

    是的、如果检测到弱电源、充电器将每1-2秒重试一次、直到连接好电源。

    否、如果输入低于 UVLO、充电器将被禁用、并且不会重试。

    此致、

    Jeff

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    您好 Jeff

    我们仍有关于弱源检测的一些问题。

    [问题1]  

    1-a. 32ms 抗尖峰脉冲时间,32ms 用于确认输入源是否正常,并保持>32ms?

    (这意味着输入应该大于 Vindpm (默认为4.2V)并且超过32ms?)

    1-b. 或者,32ms 抗尖峰脉冲时间,此32ms 用于确认输入源是否 为不良源,并保持>32ms?

    (这意味着  、如果输入电压< Vindpm (默认值为4.2V) 且 超过32ms、则输入会弱/坏?)

    以下哪项描述适用于32ms 抗尖峰脉冲时间?

    [问2]

    如果描述"1-A"正确、充电器如何确认 Vin 是弱电源? MOSFET 将"一次"关闭<Vindpm?

    谢谢。

    BR、

    乔治

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    乔治

    关于1、如果32ms 后源电压仍低于 VINDPM、则检测到弱源。  这为瞬态骤降提供了时间来自行校正。

    关于2、不适用、因为1b 是正确的。

    此致、

    Jeff

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    不再有问题了。 我们可以解决此问题。

    谢谢、Jeff。