器件型号:LM285-2.5
您好!
(部件号: LM285BXMX-2.5/NOPB,应用:DCS 卡)
我所在行业的客户在经过一段使用时间后遇到 Vref (反向击穿电压)移位问题。
客户实际上在生产过程中捕获了 Vref 值以进行调优计算。
但是、在其终端客户使用/老化特定时间段后、器件的 Vref 会稍微发生偏移。
在这种情况下、一个 PCB 中使用了2个 IC (通常两个 IC 来自同一批次且具有相似的 Vref)。
故障 IC Vref 测量为2.484V、而另一个正常 IC 测量为2.495V。 因此、客户得出结论、在生产期间、故障 IC 的 Vref 应约为2.5V。
客户了解 TI 的器件没有问题、并符合数据表规格。
但是、他们想知道反向击穿电压(Vref)的稳定性。
器件需要多长时间才能稳定?
TI 是否能够在老化测试前后提供任何 Vref 级别的数据?
或者、在器件老化之前和之后 Vref 移位的百分比是多少?
谢谢。
此致、
金