器件型号：LM285-2.5
您好！
(部件号： LM285BXMX-2.5/NOPB，应用：DCS 卡)
我所在行业的客户在经过一段使用时间后遇到 Vref (反向击穿电压)移位问题。
客户实际上在生产过程中捕获了 Vref 值以进行调优计算。
但是、在其终端客户使用/老化特定时间段后、器件的 Vref 会稍微发生偏移。
在这种情况下、一个 PCB 中使用了2个 IC (通常两个 IC 来自同一批次且具有相似的 Vref)。
故障 IC Vref 测量为2.484V、而另一个正常 IC 测量为2.495V。 因此、客户得出结论、在生产期间、故障 IC 的 Vref 应约为2.5V。
客户了解 TI 的器件没有问题、并符合数据表规格。
但是、他们想知道反向击穿电压(Vref)的稳定性。
器件需要多长时间才能稳定？
TI 是否能够在老化测试前后提供任何 Vref 级别的数据？
或者、在器件老化之前和之后 Vref 移位的百分比是多少？
谢谢。
此致、
金
您好、Chin、
我同意您的观察、即这可能会老化、但同时这也可能是热迟滞。
在大多数精密电压基准中、我们指定了长期漂移和热迟滞。
一些较旧的器件并不具有所有规格。 在这种情况下、LM285具有长期漂移、但没有热迟滞。
长期漂移：
长期漂移会影响电压基准等所有半导体器件。
在器件数据表中、我们指定了25°C 时1000小时的长期漂移、因为通过我们的测试、大多数变化都发生在这里。 在我们的高精度电压基准中、我们显示了1000小时和2000小时、而1000到2000小时的差异通常是 原稿的1/5或更好。 消除这种情况的一种方法是在25°C 时使用器件1000小时、但这是不合理的。 消除大部分影响的一种常见技术是对器件进行烘烤。 我经常看到、在使用器件之前、器件会在数小时内低于85C+温度、以消除大部分长期漂移效应。 这是因为有一个加速因子系数、表示25°C 时的1000Hr 相当于在较高温度下的小时数更少。 下面的博客中提供了确切的公式。
在这种情况下、您可以查看 EC 表上的长期稳定性线。 所有器件的平均漂移为20ppm。 在25°C 时、这可以是每1000小时2.5V 的上升或下降20ppm。
要了解有关长期漂移或如何计算 EOL 变化的更多信息、请查看以下博客。
热迟滞：
经过初始校准后、如果器件发生25C -> 85C -> 25C 等热偏移、则会影响输出电压。 但是、就像长期漂移一样、在第一个周期之后、第二个周期和第三个周期将很小。
我在 VREF 上看到偏差的方式如下所示。
器件出厂错误：初始精度
焊后：初始精度+焊接漂移
带温度的系统测试：初始精度+焊接漂移+长期漂移+热迟滞。
根据您的校准位置、将确定剩余的误差。
-Marcoo
