[参考译文] UCC2897A：UCC2897A 硬件调试问题

尊敬的 Tracy：

首先，必须正确偏置 TL431B，TL431B 需要最小阴极电流进行调节，它为0.7mA。 因此、请在光耦合器二极管上并联1K 电阻器。 我不知道如何调节环路补偿、从而使输出电压高达100V、但 FB 电压仍为3V。

从我的角度来看、 因为 BIAS2电压大约为9V。  431的最小阴极电压为2.5V，加上光耦合器二极管正向电压~1.2V。

我们可以通过光耦合 器获得大约2.4mA 的 IB 电流，请查看初级侧 R31=1k，如果您想在无负载条件下将 FB 电压下拉至0V。

光耦合器的 CTR 应大于208%，我不确定原理图中演示的所有组件值是否与调试相同。

换句话说，您可以尝试将 R31从1K 增加到2K，或将 R28从2.2K 减少到1K。

第三，C20在431的阴极和阳极上并联的作用是什么？ 是否可以尝试将其删除。 以及 C19？

随附应用手册供您参考，您可以在其中找到有关如何设计环路补偿的指南。

谢谢。

e2e.ti.com/.../4863.Understanding-and-Designing-an-Active-Clamp-Current.pdf

尊敬的 Tracy：

这是 因为在 ucc2897A EVM 板上选择的431是 TLV431B、最低阴极电流要求仅为55~80uA。

远小于 TL431B 所需的最小阴极电流。 即使在重负载条件下、也可以通过光耦合器二极管提供该最小电流。

希望能回答您的问题。

谢谢。

尊敬的 Tracy：

您可以尝试增大钳位电容、并略微减小变压器的初级磁化电感。

谢谢。

尊敬的 Tracy：

一般而言， MOSFET 损坏可能是由过应力引起的，包括过应力电压/过应力电流/过应力热。

您必须捕获 MOSFET 损坏时的波形、电压/电流/和温度。

通常，开关噪声将反映在输出纹波上，这是正常行为。 确保您正确测量了纹波，因为它可能会同时测试来自其他通道的耦合噪声，如果您想降低纹波，增加输出电容器体积是最直接的方法。 输出上也并行一些 MLCC。

谢谢。

尊敬的 Tracy：

您能否捕获纹波并告诉我们测试条件，例如输入电压/输出电压和输出电流。

另请在同一波形中捕获主 FET 驱动器信号。

我在原理图中观察到电阻器 PR25为34K 欧姆，您能不能尝试更小的值，例如2.2k 欧姆。电阻较大可能会导致补偿环路的直流增益较低，较低的直流增益无法抑制输入噪声。 它可能会反映在输出纹波上。

谢谢。

尊敬的 Tracy：

查看纹波波形后，我想您在捕获纹波噪声时可能会出错。

您能否使用交流耦合来测量纹波并确保探头的 GND 环路尽可能小。

如下图所示：

关于您的第二个问题，我看到您 在另一个帖子中提出了，请在该帖子中找到我的答案。

谢谢。

尊敬的 Tracy：

波形中的纹波似乎是开关纹波、因此请忽略我的建议、即调整 PR25。

它不应在输出电容器上产生如此大的开关纹波。 您是否使用了我建议的方法(缩小探测 GND 环路 )来捕获纹波。

或者、您能否向我们展示一张照片、说明您是如何捕获纹波的、以及测试点在电路板上的什么位置。

另一个减少 纹波的建议是 在输出端添加 LC 滤波器。

谢谢。  

尊敬的 Tracy：

我同意您的观点，即它是开关纹波。 我们无法消除它、只能缓解它。

但首先、我们必须确保测量正确、并且不会因不良 PCB 布局而产生任何耦合。

下面是我从互联网搜索的两个链接、其中显示了如何测量纹波以及如何改善纹波。 您可以逐个检查。

我想你可能会懂中文。 谢谢。