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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/842196/tps40210-calculation-of-reset-time-after-oc-protection
尊敬的先生/女士：
我想知道如何计算触发 OC 后的休息时间。
根据数据表、我可以使用公式(4)~(6)进行计算吗？
因为计算值不符合测量值。
请提供一些建议。 非常感谢。 祝你度过美好的一天！
您好 Jammy、
感谢您考虑使用 TPS40210。 复位时间由 SS 电容器控制。 请参阅数据表公式(4)至(6)。
此致、
应用工程学 Yohao Xi
您好、Youhao、
感谢您的快速回复。
我选择1uF 作为 SS 电容器、并考虑公式中其他参数的容差。
我得到复位时间大约为3秒。 测量值是否应等于或大于该值？
复位时间是否与 输入电压和寄生电容等其他参数相关？ 谢谢。
这些公式只是为您提供一个典型值、实际测量值可能略高于或低于计算结果。 请通过测试进行验证。 基本而言、输入电压在正常运行期间不会影响该时序。 但是、如果您具有可降低 VBP 的低输入电压、则可以缩短时间。
谢谢、
Youhao
计算值约为3秒、但测量值约为8秒。 没关系吗？
另一个问题是 OC 保护。 如果触发 OC、栅极信号是否会在重启时间后驱动 MOSFET？
我测量了超过150mV 的 ISNS 引脚、但 IC 仍然提供几次栅极信号。 它的运行是否正确、为什么？
谢谢。
我认为测量 的8s 会受到电容器泄漏电流的影响、这会降低有效 SS 电流并导致比计算的更长的时间。 在这种情况下、您应该减小电容器值。 通常、较大的电容器具有较大的泄漏电流。
