[参考译文] CSD19536KTT：NMOS/PMOS 可用于断开接地？

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/798669/csd19536ktt-nmos-pmos-available-to-disconnect-ground

器件型号：CSD19536KTT
主题中讨论的其他器件：OPA551

大家好。

我将使用应用手册

http://www.ti.com/lit/an/snoa474a/snoa474a.pdf

使用带有 MSP-EXP432P401R Launchpad 的 OPA551创建 Howland 电流泵。

一个周期性信号(100Hz ~ 4kHz、最大放大器= 20V)被馈入 OPA551输入。

出于个人原因、我希望断开连接到负载的 GND。

与大多数 NMOS/PMOS 应用一样、我可以使用3.3V GPIO 来打开或关闭电路。

但是、由于 OPA551提供高电压输出和电流(也是正+和负-)、我不确定是否可以为我的情况应用 NMOS/PMOS。

我可以在需要时使用 NMOS 或 PMOS 断开 GND 吗？如果是、您可以推荐 TI 的哪一部分？

功耗、封装尺寸或价格都无关紧要。我希望产品能够处理这种高电压和电流。

此外、我更喜欢可以立即组装到试验电路板上的封装。

或者、如果有更好的解决方案、而不是使用 NMOS/PMOS、考虑到我正在使用 MSP-EXP432P401R Launchpad、我也希望听到其他方法

5 年多前

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 1129500 points

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尊敬的 David：
感谢您关注 TI FET。在该应用中、您似乎将 FET 用作以 GND 为基准的低侧负载开关。我假设您使用的是 N 沟道 FET。当 FET 导通(VGS > VTH 且 VGS >=数据表中指定 RDS (on)的最小电压)时、电流可在任一方向流经通道。当 FET 关断时、由于其积分体二极管、它只能阻止正电压从漏极到源极。如果漏源电压为负、则体二极管将正向偏置、并传导电流。如果是这种情况、则可能必须使用两个背靠背配置的 MOSFET 来阻断流经体二极管的反向电流。另请注意、可以使用3.3V GPIO 驱动 FET。但是、FET 的额定 RDS (ON)必须为3V、由于 GPIO 的电流驱动能力有限、导通/关断时间可能不会很短。

您需要支持什么输出电压和电流？ FET 开关速度是否重要？

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 1129500 points

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谢谢、John。

[引用 user="John Wallace1">]如果漏源极电压为负、则体二极管将正向偏置并传导电流。如果是这种情况、则可能必须在背靠背配置中使用两个 MOSFET 来阻止流经体二极管的反向电流。[/quot]

我害怕遇到这种问题。感谢您的指出。

[引用 user="John Wallace1">不过、FET 的额定 RDS (on)必须为3V、由于 GPIO 的电流驱动能力有限、导通/关断时间可能不会非常快。 [/报价]

我明白了。

[引用 user="John Wallace1">]您需要支持的输出电压和电流是多少？ FET 开关速度是否重要？[/引述]

我将向 Howland 电流泵馈送双相信号。

尽管我使用的是 OPA551、它可以驱动-30~30V 电压、但我稍后将使用其他高功率运算放大器、一直到-100 ~ 100V。

因此、我希望这支持-100V ~ 100V、最大电流为100mA。信号频率范围为50 ~ 4kHz。

FET 开关速度、如果它快于2msec、我的系统就可以了。

我需要注意的一点是、我希望栅极阈值电压(Vgs)足够低、以便我可以使用 GPIO 对其进行切换、可能低于2.8V。

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 1129500 points

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尊敬的 David：
TI FET 的最大额定 BVDSS 为100V。为了获得足够的裕度、+/-100V 应用需要具有较高额定电压(例如、120V 至150V)的 FET。我们所有的100V FET 都具有额定 VGS 最小值为6V 的 RDS (ON)。我们不建议在 VGS < 6V 时运行 FET、因为我们无法保证 RDS (on)。对于+/-30V 应用、您将需要使用40V (或更高) FET。我找不到任何 VDS >= 40V 的匹配器件、这些器件可直接通过2.8V 的 GPIO 信号进行驱动。您必须具有外部栅极驱动电路才能使用任何 TI FET。这可以是低侧栅极驱动器 IC、也可以是使用 FET 或 BJT 的分立式实现。

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 1129500 points

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[引用 user="John Wallace1">您必须具有外部栅极驱动电路才能使用任何 TI FET。这可以是低侧栅极驱动器 IC、也可以是使用 FET 或 BJT 的分立式实现。[/quot]

谢谢、John。

我认为这可能与你的建议类似。那么、如何级联 NMOS 呢？

一个用于低栅极电压、因此我可以使用微控制器对其进行控制、

另一个作为开关

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 1129500 points

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尊敬的 David：
我想的是简单的东西。例如、您可以使用 GPIO 来驱动小信号 NFET 的栅极、其源极以 GND 为基准。漏极将通过电阻上拉至更高的电源电压(5V 或12V)。然后、漏极将连接到高压(40V - 150V) NFET 的栅极。当小信号 FET 关断时、栅极被上拉至电源电压、而当它导通时、栅极被驱动为低电平。许多供应商采用 SOT23封装制造小信号 FET、甚至高电压 FET、应该能够满足这些需求。遗憾的是、TI 不适合这种相对较低电流的应用。

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