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[参考译文] UCC27526：使用 UCC27526驱动两个 CSD19538Q2 -查找栅极电阻器

admin
Guru**** 1641220 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD19538Q2, UCC27526
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/798619/ucc27526-driving-two-csd19538q2-with-ucc27526---finding-gate-resistor

器件型号：UCC27526
主题中讨论的其他器件：CSD19538Q2、

您好！

我需要驱动两个 CSD19538Q2、这 两个 CSD19538Q2需要 在脉冲持续时间为60ns 的情况下尽可能快地开关。 脉冲占空比约为0.1%、MOSFET Vgs 为38V 、脉冲 ID 最大为30A。

现在、我想使用 UCC27526来驱动这些 MOSFET、但不知道 Rgate 应该是什么(驱动器输出和 MOSFET 栅极之间的电阻器)。

您会这么善良、帮我解决这个问题吗？ 谢谢你。

此致、

安德烈

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    TI__Guru**** 1641220 points
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    尊敬的 Andrej：

    感谢大家来到高功率驱动器小组、我叫 Mamadou Diallo、我是支持低侧驱动器的 AE。
    我认为您的意思是从数据表中可以看出、MOSFET Vgs = 3.8V (最大值)。

    请参阅随附的应用手册、了解如何正确选择栅极电阻以实现所需的上升/下降时间。

    www.tij.co.jp/.../slla385.pdf

    如果您有其他问题、请告知我们、如果您的问题已解决、请按绿色按钮。

    谢谢。

    此致、

    -Mamadou
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    TI__Guru**** 1641220 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    尊敬的 Mamadou：

    我知道这份申请书，但必须承认，这份申请书写得太复杂。 另一方面、它包含很多"如果它很小"或"太大"等内容、但没有明确的示例。

    让我从第二页的句子开始："如果 MOSFET 或 IGBT 的内部栅极电阻足够大、则可能不需要外部栅极电阻器。" 好的。 我明白了。 但它意味着什么是"足够大"？ 哪个数字表示"足够大"？ 另一方面、MOSFET 的数据表显示、Rg 通常为4.6Ω Ω、最大为9.2Ω Ω。 我应该使用4.6Ω 或数字、这是两倍的高电平吗？

    我认为将此设计添加到 TI 的 Webench 或让应用手册中提供确切路径说明如何进行此计算是不错的。 我想 Excel 工作表也能完成这项工作。 当然、我不是唯一一个因这种情况而迷路的人... :-)

    此致、
    安德烈
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    TI__Guru**** 1641220 points
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    尊敬的 Andrej：

    感谢后续问题。

    外部栅极电阻的值将因应用而异、这是我们为什么不指定任何特定的数字。 有些应用(例如开关模式电源)需要快速接通/关断、这些应用希望将此电阻最小化到1-20欧姆之间的任何值(经验法则)。 较小的栅极电阻器值可提高开关速度、并有助于提高效率、而折衷则可能会降低电路的 EMI。

    看起来总栅极电荷为5.6nC/FET (两个并联 FET 为11.2nC)、这是一个小负载。 根据您的特定应用需求、假设您使用单个导通/关断路径、我建议从2-20欧姆栅极电阻之间的任何位置开始、并将栅极电阻器微调到您所需的上升/下降时间。 (我与您分享的技术手册使用153nC 最大栅极电荷)。

    如果您使用单独的导通和关断路径、则需要分别调整 Ron (导通路径上的电阻)和 ROFF (关断路径)的大小、以实现目标上升和下降时间。 在这种情况下、您需要在调整 Ron 部分时尽可能减少关断(0至5欧姆)。 (1至20欧姆)。 使用与较小值电阻器关断串联的二极管提供单独的关断路径、以获得非对称导通/关断速度。

    如果您有其他问题、请告知我们、如果您的问题得到解决、请按绿色按钮。

    谢谢。

    此致、

    -Mamadou