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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/838748/bq25710-both-low-side-mosfets-turn-on-at-the-same-time
大家好、
我是否可以帮您了解 bq25710为何 同时导通两个低侧 MOSFET？
我们看到这种行为发生在 VIN=20V 和 VOUT=12V 时、但如果系统负载为稳定电流、这种行为就会消失。
CH1：VSYS、CH2：SW1 (降压侧)、CH3；SW2 (升压侧)、CH4：输入电流。
您好：
电流负载是正弦波形吗？
为了理解为什么 CH2会有一些短暂的骤降？ 在此测试期间是否存在任何故障或异常状态变化？
此致
三国
您好 、ishuo、
我没有在系统侧设置电气负载、所有波形都是在真实的主板上测量的。
该下降看起来是由高负载导致的输入电压下降引起的。
是否有任何条件可使两个低侧 MOSFET 同时导通？
我认为 PTM 模式是一个可能的条件、如果您处于 PTM 模式并配置 REG12<8>=1、那么两个 LSFET 应该能够同时打开。 但波形看起来不像这样。
发生这种情况时、是否报告了 Reg20h 上的任何异常状态？
我已经检查了状态寄存器、它根本不显示任何故障。
您确定 PTM 模式只是两个低侧 MOSFET 同时关闭的一个条件吗？
它看起来不像 PTM。 因此、可能还有其他一些原因会导致这种行为。
你(们)好。
我们没有听到您的反馈。 我们假设您能够解决您的问题。 如果不是、只需在下面发布回复或在该线程由于超时而锁定时创建新线程。
您好！
您是否可以帮助我们单击 TI 从您的角度解决我们的问题？ 我们现在无法从侧面关闭它。 感谢您的关注。
