[参考译文] UCC27712-Q1：击穿

Musthakali、您好！

感谢您关注 UCC27712半桥驱动器。 如果不查看示波器图波形、我必须假设您看到同步降压转换器的一个常见问题。

我看到您选择的 MOSFET 在该额定电压下具有较短的体二极管恢复时间、这将大有帮助。

在同步降压转换器中、当您打开高侧 MOSFET 时、低侧 MOSFET 体二极管导通、反向恢复时间会导致电路寄生电感中出现高 di/dt、直到体二极管关断。 这可能会导致开关节点上的高 dV/dt、从而导致 MOSFET 的漏极到栅极之间产生较大的米勒电流。

增加高侧 MOSFET 的导通电阻是减少米勒电荷耦合进入 MOSFET 栅极的最常用方法。 此外、如果您在开关节点上升期间看到低侧 MOSFET 上的 Vgs 上升、则可以减小低侧 MOSFET 的关断电阻、从而更好地钳位到接地端。

此外、栅极驱动器与 MOSFET 栅极和源极端子之间的连接也很重要。 为了最大限度地减小布局布线的寄生电感、您需要布线宽度比电流承载能力所需的布线宽度更宽的短布线。 较宽的布线会降低寄生电感。

请告诉我这是否有助于解决问题、或者您可以在此主题上发布其他问题。

此致、

Richard Herring

您好 Richard、  

如前所述、我已将高侧导通电阻从3.3欧姆增加到150欧姆、但仍会获得2.1安的击穿电流、最终栅极电压会随着导通电阻和 RGS 形成分压器电路而降低。  

现在、我仍然可以完全避免击穿电流、我需要您的进一步帮助。 请告诉我需要您提供哪些进一步的信息来帮助我解决这一问题。

由于这个问题、我的项目滞后、我 需要尽快解决

谢谢你

此致

Musthakali

Musthakali、您好！

对于同步降压转换器、在电感为正的负载条件下、在低侧 FET 体二极管恢复时间内、高侧 FET 的初始导通期间将始终有电流流动。 这看起来像是击穿电流、但是体二极管反向恢复电流。

增大高侧 FET 导通电阻通常会减小此电流。

是否存在最小击穿电流的栅极电阻值？ 电流看起来下降的最低栅极电阻是多少？

要查看 开关期间 VGS 上的电压扰动是否可能导致跨导、我需要查看示波器图。 此外、栅极驱动电路的 PWB 布局也很重要、因此提供布局图将帮助我提供其他建议。

记录 HO-HS (如果可能、使用差分探针)、HS 接地和 LO 接地的示波器图。 使用时间刻度记录打开开关转换和关闭转换、以查看波形详细信息。 还使用时间刻度进行记录、以查看 几个开关周期。 还记录了相同的情况、但具有高侧 FET Vgs、HS 和低侧 FET Vgs。 确保并指示您认为发生了交叉传导的位置、如果您可以记录电流、也会显示该波形。

此致

Richard Herring