主题中讨论的其他器件:ADS8681、 BQ40Z50-R2
您好;您能澄清几个问题吗:
μV 表在第11页列出了 CC ADC 分辨率、如下:(1) 1 LSB = VREF1/(10×2N)= 1.215/(10×215)= 3.71 μ V
μV 另一个 ADC 作为(1) 1 LSB = VREF1/(2N)= 1.225/(215)= 37.4 μ s (当 tCONV = 31.25ms 时)?
但是 、由于表7.28中的1.225引用标记为"Vref2"、我是否应该假设这是拼写错误?
2. 我对40z50参考手册中列出的精度规格感到困惑,但我可能会误解这些规格。 具体而言、我担心为 CC ADC 列出的 INL 值:"积分非线性(1) 16位、在输入电压范围±5.2±22.3 LSB 上的最佳拟合"。 由于无法校准 INL 误差、您能否确认/解释此 INL 误差对 IT 精度的影响?
通常、在直流应用中使用的 ADC 应使用"End Point"方法指定 INL、因为"Best Fit "方法往往会掩盖最坏的情况。 由于器件已校准(偏移/增益)、因此最佳拟合线无论如何都不会出现这两个点。 我注意到部分(或全部) 您的 SAR ADC 实际上使用端点指定 INL (请参阅 ADS8681)。 但您的 SigD 转换器将其指定为"ppmFSR"、它们通常非常好(例如4 ppmfsr)。
谢谢!