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[参考译文] WEBENCH®︎工具/UCC28742：谷底开关的 MOSFET 选择

admin
Guru**** 2466550 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC28742, TL431, UCC28600, UCC28C42, UCC25600

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/796784/webench-tools-ucc28742-mosfet-selection-for-valley-switching

器件型号：UCC28742
主题中讨论的其他器件： TL431、 UCC28600、 UCC28C42、 UCC25600

工具/软件：WEBENCHRegistered设计工具

我很难找到 UCC28742的 MOSFET、该 MOSFET 将支持谷底开关。
实现这一点有多重要？
除了 MOSFET 降低效率和消耗更多功率之外、不采用谷底开关的副作用是什么？

您是否知道可以更好地实现谷底开关的 MOSFET？  到目前为止、即使是40美元的器件、我也无法实现这一点、并且处于 MOSFET 的额定电流范围内。

MOSFET 开关、Q  
反射电压、V反射= 640.0 五 变量定义参考原理图和 BOM 表上的图  
泄漏尖峰电压、VLK =    416.0 五  
源电压额定值所需漏极，VDS 额定值= 2156.0 五  
泄漏尖峰电压/反射电压、比率= VLK/Ve反射   0.65   用户输入、初始值约为0.5至0.7  
MOSFET 额定漏源电压、Vds = 2500 五    
所选 MOSFET 的输出电容、COSS = 77 PF 设计将不会进行谷底开关
所选 MOSFET 的漏源导通电阻、RDSon = 40 Ω μ A  
MOSFET 下降时间、TF = 39. ns  
MOSFET 关断延迟时间、tDoff = 132. ns  
MOSFET 总栅极电荷、Qg = 65 常闭  

此致、
克林特

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    TI__Guru**** 2466550 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    我不知道为什么您在谷底开关方面遇到问题？

    您能否提供原理图和功率级别？

    您能否还获取辅助绕组、驱动引脚和电流感应引脚的波形、以便我们了解器件实际开关的位置？

    此致、

    Mike
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    TI__Guru**** 2466550 points
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    我目前没有波形需要查看、因为我仍在使用设计工具对正确的组件进行分类。
    正确设置这些设置后、我将转到布局和 PCB 制造和测试、但我希望确保正确设置了设计。

    目前、我找不到 MOSFET、无法在所需的电流电平下实现谷底开关。
    此设计采用大电容器组的直流输入电压(725V 至1075V)作为输入。
    输出电压需要为15Vdc、电流为1.3A。  运行和各种负载状态期间的输出电压范围必须保持在(14.5V 至15.5Vdc)之间、典型值为15Vdc。

    我认为我需要考虑的一件事是修改 VAUX 匝数、因为我最初以为我只需要40匝、就像次级绕组那样需要15V AUX、但这个计算器显示我需要更多的65匝、这一点更重要？

    我还在查看一个启动电路、以使电路能够快速启动。

    UCC28742设计计算
    用户在设计输入页面上输入的值将用于设计计算
    来自蓝色电池的所有灰色电池都是用户输入-仅对蓝色电池进行了更改
    输入
    输入电压类型 交流或直流： 直流 "设计输入"页面中的用户输入值
    最小输入电压  VINPUTmin = 725. 直流
    最大输入电压 VINPUTmax = 1100 直流
    标称输入电压   VINPUTnom = 1073. 直流
    最低线路频率  fLINEmin = 0 Hz
    启动的最小输入电压 VINPUTrun = 720) 直流
    最小峰值大容量输入电压   VBULKmin = 725.0 五  
    最大峰值大容量输入电压 VBULKmax = 1100.0 五  
    标称峰值大容量输入电压 VBULKnom = 1073.0 五  
    导通峰值大容量输入电压 VBULKSTARTUP = 720.0 五  
    行周期周期、最大值、(对应于 fLINEmin) tline =   不适用 ms  
    输出
    稳压输出电压、恒压模式   Vout_CV = 15.0 五 "设计输入"页面中的用户输入值
    满载额定输出电流 Iout = 1.3. A
    目标恒流模式输出负载阈值 IOCC_TARGET = 1.5 A
    恒流调节期间的目标最小输出电压 VOUT_CC = 14.0 五
    恒压模式下负载阶跃瞬态期间允许的输出压降 VOUTΔ= 0.05 五
    最大峰间输出电压纹波 VRIPPLE = 80 MV
    所需的正负载阶跃瞬态电流 ITRAN = 1.3. A
    负载阶跃瞬态的最大允许响应时间 tRESP = 0.1. ms
    输出过压保护 VOUT_OVP = 15.5. 五
    最大待机功耗 PSBtarget = 75 兆瓦
    估算效率 η=   0.850    
    输出功率 PoUT = 22.500 W  
    估计的输入功率 引脚= 26.471. W  
     
    组件参数计算
     
    输入电容器 CBULK
    建议的输入大容量电容 CBULK 建议= 11.25. µF μ A
    实际输入大容量电容 CBULKACTUAL = 1000.0 µF μ A 用户输入
    计算中使用的输入电容器值 CBULK = 1000.0 µF μ A  
    输入大容量电容器上的最小谷值电压 VBULKvalley = 720.0 五  
    最小输入电容器纹波电流额定值 ICINRIPPLE =   0.1. mA  
    最小输入电容器额定电压 VCin = 1100 五  
     
    输入保险丝
    额定电压 VFUSE = 1100 直流  
    峰值输入电流 IINpeak = 0.140 A  
             
    桥式整流器
    额定电压 VBRIDGE_MINRA定值= 1100.0 五  
    额定电流 IBRIDGE_MINRATating = 0.074. A  
    正向压降 Vf_bridge = 1.000 五 用户输入
    桥式整流器的满载功率耗散 PBRIDGE =   0.1. 兆瓦  
             
    变压器匝数比、NPS
    消磁占空比 DDEMAG_CC = 0.475   器件参数
    调幅控制比 KAMnom = 4.   器件参数
    所需的最大开关频率 FMAX_TARGET = 75.0 kHz 用户输入
    所需的开关周期 TSW_TARGET = 13.333. µs μ A  
    DCM 死区时间期间的谐振频率 Fres = 0.500 MHz  
    第一次去 Resonant Valley Tres = 1.000 µs μ A  
    估计的最大占空比 dmax_target =   0.450    
    理想初级绕组与次级绕组匝数比 NPSideal = 42.6316   理想 NPS
    实际一次侧绕组与二次侧绕组匝数比 NPSactual = 40.000   用户输入
    计算中使用的一次侧绕组与二次侧绕组匝数比 NPS = 40.000    
    实际反激电压 VFLYBACK = 640.0 五  
    允许的泄漏电感电压尖峰 VLEAKAGE = 760.0 五  
    估计最大导通时间 tONEstimated = 5.804. µs μ A  
    估计的变压器效率 ηXFMR = 0.945    
             
    电流感应电阻器 RCS、峰值初级电流 Ipp
    恒定电流调节因子、最小值 VCCR_MIN = 338. MV 器件参数
    恒定电流调节因子、标称值 VCCR_nom = 363. MV 器件参数
    恒定电流调节因子、最大值 VCCR_max = 390 MV 器件参数
    LP 的初始估算 LP_Estimate = 21732.2. µH μ A  
    建议的电流感测电阻值 RTCSrecommended = 4.705 Ω μ A  
    使用的实际电流感测电阻 RTCSactual = 4.700 Ω μ A 用户输入
    计算中使用的电流感测电阻值  RCS = 4.700 Ω μ A  
    RCS 的功率耗散 PRCS = 17.8. 兆瓦  
    最大电流感测阈值电压、最小值 VCSTmax_min = 710 MV 器件参数
    最大电流感测阈值电压、标称值 VCSTmax_nom = 770 MV 器件参数
    最大电流感测阈值电压、最大值 VCSTmax_max = 830 MV 器件参数
    峰值初级电流、最小、满载 IPPmin = 0.151. A  
    峰值初级电流、标称值、满载 IPPnom = 0.164. A  
    峰值初级电流、最大、满载 IPPmax = 0.177 A  
    恒流模式下的实际输出电流 IOCC_ACTUAL = 1.556 A  
    轻负载、FM 模式期间的峰值初级电流   IPP_FM = 0.041 A  
    最坏情况下的峰值初级电流 IPP_WC = 0.178 A 假设-1% RCS 和 VCSTmax_max
    恒流模式下的最大输出电流 IOCCmax = 1.695 A 最坏情况估计值
             
    变压器一次侧电感 LP
    计算得出的 LP、以满足选定 RCS 的 fmax_target LPcalc = 22253.922 µH μ A
    推荐的初级电感、以满足具有所选 RCS 的 tCSLEB 要求 LPrecommended = 22253.922 µH μ A 理想 LP
    实际初级电感 LPactual = 22000.000 µH μ A 用户输入
    计算中使用的初级电感 LP = 22000.000 µH μ A  
    实际最大标称开关频率 FMAX = 84.345 kHz  
    实际开关周期 tSWactual = 11.856 µs μ A  
    实际最大导通时间 tONmax = 5.006 µs μ A  
    最大占空比 Dmax = 0.422    
    退磁时间 tDEMAG = 5.632 µs μ A  
    一次侧 RMS 电流 IPRI_RMS = 0.061. A  
    二次侧峰值电流 ISPmax = 6.553. A  
    二次侧 RMS 电流 ISEC_RMS = 2.608 A  
    VDD 欠压闭锁(UVLO)电压、最大值 VDDOFF_max = 8.150 五 器件参数
    VDD 欠压闭锁(UVLO)电压、最小值 VDDOFF_MIN = 7.350 五 器件参数
    推荐的辅助绕组与二次侧绕组匝数比 NASrecommended = 0.610    
    推荐的初级与辅助匝数比 建议值= 65.5774    
    实际一次侧绕组与辅助绕组匝数比 NPAactual = 40.000 用户输入
    计算中使用的一次侧绕组与辅助绕组匝数比 NPA = 40.000    
    标称 VDD 电压 VDD = 15.000 五  
    实际辅助绕组与二次侧绕组匝数比 NAS = 1.000  
    最大导通时间、tCSLEB tONmax (limit)= 350.0 ns 器件参数
    实际最短导通时间(IPP_MIN 的最坏情况) tONmin (实际值)= 755.3 ns 好的
    实际最短导通时间(对于 IPP_nom 为正常) tONmin (正常)= 819.1 ns 正常工作正常
    最小消磁时间 tDEMAGmin = 1.298 µs μ A  
    恒流模式下的最小输出电压 VOUT_CCmin = 7.350 五  
             
    MOSFET、Q
    估计的泄漏尖峰电压   VLK = 416.0 五 由 VLK/V反射 比进行调整
    反射电压 V反射=   640.0 五 变量请参阅原理图和 BOM 表
    源电压额定值所需漏极，VDS 额定值= VDSmin_rating = 2156.0 五
    MOSFET 额定漏源电压 Vds = 2500.0 五 "设计输入"页面中的用户输入值
    所选 MOSFET 的输出电容 输出电容= 77 PF
    所选 MOSFET 的漏源导通电阻 RDSon = 40.000 Ω μ A
    MOSFET 下降时间 TF = 39.0 ns
    MOSFET 关断延迟时间 tDoff = 132.0 ns
    MOSFET 总栅极电荷 QG = 65.0 常闭
    DCM 死区时间期间的实际谐振频率 Fres_actual = 0.086 MHz  
    到第一个谐振谷的实际估计时间 Tres_actual = 5.78 µs μ A  
    是否实现了谷底开关？ “是”或“否” 否 效率会受到影响  
    MOSFET VDS 降额 VDSderated = 0.862    
    MOSFET 连续电流额定值 IDRAIN = 0.669 A  
    MOSFET 脉冲电流额定值 IPULSED = 1.784 A  
    估算的 MOSFET 导通损耗 PFET 导通= 0.151. W  
    估算的 MOSFET 开关损耗 PFET 开关= 1.156. W  
    MOSFET 总估算功率损耗   PFET = 1.307. W  
    漏极上的建议钳位电压 VDRAINCLAMP = 635.0 五  
             
    输出二极管、DOUT
    输出整流器的正向压降、Vf = Vf = 1.00 五 用户输入
    所需的最小阻断电压额定值 VDOUT_blocking = 58.9. 五  
    所需的最小平均整流输出电流 IDout = 2.608 A  
    DOUT 的功率耗散 PDout = 1.556 W  
             
    辅助绕组二极管、DAUX  
    辅助整流器正向压降  VFA = 1.00 五 用户输入
    所需的最小阻断电压额定值 VDBIAS_BLOCKING = 57.5. 五  
             
    输出电感器、LOUT
    输出电感器的 DCR  DCRLout = 0 MΩ μ A 用户输入
           
    输出电容器 COUT
    无需光耦合反馈的最小 COUT COUT_NO_OPTO = 2600.0 µF μ A 此处应注意使用 opto 反馈的重要性！
    具有光耦合反馈的建议最小所需输出电容器 COUTrecommended= 470.0 µF μ A  
     
    使用的实际输出电容 COUTACTUAL = 470.0 µF μ A 用户输入
    计算中使用的 COUT Cout = 470.0 µF μ A  
    所需的最小纹波电流额定值 ICOUTrms = 2.040. A  
    建议的最大 ESR ESRCoutrecommended = 12.2. MΩ μ A  
    所用 COUT 的实际 ESR ESRCoutActual = 10.0 MΩ μ A 用户输入
    计算中使用的 ESR ESRCout = 10.0 MΩ μ A  
    产生的输出电压峰峰值纹波 VOUTripple = 67.6. MV  
             
    电压感应分压器 RVS1、RVS2
    VS 线路感应运行电流、最小值 IVSLrun_min = 170 µA μ A 器件参数
    VS 线路感应运行电流、标称值 IVSLrun_nom = 210 µA μ A 器件参数
    与线路感应运行电流间的关系、最大值 IVSLrun_max = 250 µA μ A 器件参数
    VS 线路感应停止电流、最小值 IVSLSTOP_MIN = 60 µA μ A 器件参数
    VS 线路感应停止电流、标称值 IVSLSTOP_nom = 75 µA μ A 器件参数
    VS 线路感应停止电流、最大值 IVSLSTOP_max = 90 µA μ A 器件参数
    最小启动线路电压的建议电阻值 RVS1推荐= 86.6. kΩ μ A  
     
    用于最小启动线路电压的实际电阻值 RVS1实际值= 86.6. kΩ μ A 用户输入
    计算中使用的 RVS1值 RVS1 = 86.6. kΩ μ A  
    产生的导通电压、最小值   VTURNONmin = 588.9 直流  
    由此产生的标称导通电压   VTURNONNONNOM = 727.4 直流  
    产生的导通电压、最大值   VTURNONmax = 866.0 直流  
    产生的输入欠压、最小值 VBROWNOUTmin = 12.8. 直流  
    产生的输入欠压电压、标称值 VBROWNOUTnom = 264.8. 直流  
    产生的输入欠压电压、最大值 VBROWNOUTmax = 316.8 直流  
    内部 VS 过压阈值、最小值 VOVPmin = 4.45. 五 器件参数
    内部 VS 过压阈值、标称值 VOVPnom = 4.65 五 器件参数
    内部 VS 过压阈值、最大值 VOVPmax = 4.85. 五 器件参数
    针对所需输出过压限制的建议电阻值 RVS2推荐= 33.2. kΩ μ A  
     
    用于所需输出过压限制的实际电阻值 RVS2Actual = 33.2. kΩ μ A 用户输入
    RVS2用于计算 RVS2 = 33.2. kΩ μ A  
    生成的输出过压阈值、最小值 VOUT_OVPmin = 15.058. 五  
    生成的输出过压阈值、标称值 VOUT_OVPnom = 15.779 五 实际输出过压  
    生成的输出过压阈值、最大值 VOUT_OVPmax = 16.501 五  
             
    线路补偿 RLC
    线路补偿电流比、标称值 KLCnom = 25 A/A 器件参数
    总估算电流感应延迟 tDELAY = 182. ns  
    线路补偿的建议电阻值 推荐的 RLC= 3.320 kΩ μ A  
    用于线路补偿的实际电阻值 RLCMACTUAL = 3.320 kΩ μ A 用户输入
    计算中使用的 RLC RLC = 3.320 kΩ μ A  
    RLC 选择的结果 输出恒定电流在输入线路电压范围内的偏差最小。
             
    VDD 电容器、CVDD
    运行模式期间的器件电源电流、最大值 IRUNmax = 2.40. mA 器件参数
    VDDON 电压、最大值 VDDONmax = 24.5 五 器件参数
    VDDOFF 电压、最大值 VDDOFFmax = 8.30. 五 器件参数
    空载时估算的最小开关频率 fSWmin = 3.252. kHz  
    估计过压充电持续时间 TOV = 2.0 ms  
    用于启动的最小 VDD 电容器 CVDD1 = 2.200 µF μ A  
    负载瞬态的最小 VDD 电容器 CVDD2 = 1.000 µF μ A  
    用于 VDD 上目标纹波的最小 VDD 电容器 CVDD3 = 0.680 µF μ A  
    VDD 上的推荐电容器 CVDDrecommended = 2.200 µF μ A  
             
    光耦合反馈
    TL431并联稳压器的参考电压 VREF431 = 2.495 五 用户输入
    并联稳压器基准输入电流、最大值 IREF431 = 4. µA μ A 用户输入
    针对输出电压设定点的建议底部电阻值 RFB2Recommended = 44.2. kΩ μ A  
     
    用于输出电压设定点的实际底部电阻值 RFB2Actual = 44.2. kΩ μ A 用户输入
    RFB2用于计算 RFB2 = 44.2. kΩ μ A  
    针对输出电压设定点的建议顶部电阻值 RFB1recommended = 226 kΩ μ A  
     
    用于输出电压设定点的实际顶部电阻值 RFB1Actual = 226 kΩ μ A 用户输入
    RFB1用于计算 RFB1 = 226.02 kΩ μ A  
    产生的标称恒定电压输出电压 Vout_CV = 15.253. 五  
    RFB4的建议值 RFB4建议= 4.02 kΩ μ A  
    计算中使用的 RTL RTL = 1.5 kΩ μ A  
             
    *所有参考编号均可在原理图和 BOM 工作表中找到        

    在 UCC28742计算器的 Schematic BOM 选项卡上、它给出了 MOSFET Q1的规格、如下所示：

    问题1. 最小 VDS 电压额定值： 2500 五
    最小持续电流额定值： 0.669 A
    最小重复峰值电流额定值： 1.784 A
    功率耗散： 1.307. W

    MOSFET 额定电流是否真的需要669mA 续流？ 和1.784A 峰值？

    第1个表显示初级电流仅为：

    峰值初级电流、最大、满载 IPPmax = 0.177 A

    谢谢、
    克林特

  • 0
    TI__Guru**** 2466550 points
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    您好！

    我认为 FET 的峰值电流和 RMS 电流的工具计算是正确的。

    无法找到允许谷底开关的 FET。 如果初级磁化电感(LP)和开关节点电容 Co (tr)之间的谐振周期为2us、则该器件将进行谷底开关。 CO (tr)<或= 1/((2*3.14*500kHz)^2*LP。 如果找不到具有足够低的系数的 FET，则可以考虑降低 fmax 以增加 LP。

    此致、

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    尊敬的 Mike：

    我尝试将频率调整为70、65、50、10kHz、无论频率设置和初级电感和初级/次级匝数比的调整、我仍然会收到一条消息、即该设计不是谷底开关。

    我实现谷底开关设计的唯一方法似乎是将输出电容(Coss)降低至10pF 或更低。

    一旦输出电容值达到11pF 或更高、则设计状态将不会进行谷底开关。

    我最初发现一个符合输出电容要求的 MOSFET、但 MOSFET 的额定电流太低。
    当我搜索更高的电流、高电压 MOSFET 时、我发现它们都具有至少77pF、100pF 甚至更高的输出电容。

    我确实需要尽可能高的频率、以使反激式变压器尽可能小、从而节省布板空间。
    您是否知道任何类型的2500V 或更高电压的 MOSFET 通常具有低输出电容？

  • 0
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    您好！

    您的设计是独特的、因为您具有高输入电压和功率级别。 可能无法找到实现 ZVS 的 FET。 UCC28742被限制为谐振频率低于500kHz。

    如果需要 ZVS、则使用 UCC28742可能无法实现这一点。 您可能会考虑评估不同的器件、以查看其是否满足您的需求。 UCC28600是一款 QR 反激式控制器、能够满足您的设计要求。

    另一种选择是设计硬开关反激式转换器。 UC28C42可以用于这个应用。

    此致、

    Mike
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    尊敬的 Mike：

    您能解释一下未达到 ZVS 的后果吗？  它是否会导致 UCC28742上更高的振铃和过冲电压？

    这不是由电池供电的应用、因此降低效率不会成为问题、但确保部件不会过热也不会出现问题。

    我尝试使用 UCC28C42设置输入、但很显然、有些东西不起作用。

    我的输入电压在指定的16.5-2000V 范围内

  • 0
    TI__Guru**** 2466550 points
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    您好！

    我不是 Webench 工具的创建者、此输入范围似乎很宽。 但是、该器件应在您尝试实现的设计范围内工作、但无法实现 ZVS。 它将进行硬开关。

    请注意、TZTO 过零超时延迟为1.45us 至3.3us。 这意味着、如果在开关节点电容 Lm 之间的谐振周期的四分之一、该器件将硬开关。 它仍然可以工作、但没有 ZVS。

    最后、我看到您发布的 Webench 工具应该能够进行此设计、因为它在16.5V 至2000V 的工具范围内。 我认为这是错误的、我将把这个问题分配给 Webench 团队来解决。

    此致、
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    TI__Guru**** 2466550 points
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    Webench 团队能否查看此信息并使用 Webench 工具解决 Clint 的问题？ 它无法完成他的设计。
    我认为输入范围存在误差。

    此致、
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    TI__Guru**** 2466550 points
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    您好、Clint、

    我尝试为报告的条件创建设计、我能够创建设计。
    我已通过下面提到的链接分享了该设计。
    共享设计链接： webench.ti.com/.../SDP.cgi
    如果您现在能够创建设计、请告知我们。

    谢谢、此致、
    Umayal
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    TI__Guru**** 2466550 points
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    因此、您发布的 webench 链接显示了设计必须是可接受的。

    不过、我现在的问题是、UCC28742上一次被告知要使用它并为其创建了 PCB 原理图、我的设计是否不可接受？

    这就是我被告知的：

    Clint、

     我询问了有关设计偏置电路的信息、同时还询问是否为您的用例推荐了 LLC 拓扑、这些信息直接发送给我们的 UCC25600/高电压控制器团队。 他们的答复如下：

     

    首先、我认为15W LLC 并不实用、反激式转换器是最佳选择。

    我也不相信 UCC25600是我们完成这项工作的最佳选择。  这可以通过 UC28742 QR 到 DCM 反激式转换器来实现。

    与 UCC25600相比、该器件更易于在这些低功耗应用中使用。

     

    WEBENCH 是否允许 UCC28742上具有相同的输入电压范围和输出电压电平？

    我一直在使用 UCC28742设计计算器工具、这是我推荐的工具。
    设计计算器是我遇到非谷底开关操作的地方、我尝试解决该问题或确保设计即使不实现谷底开关也能正常运行。

    设计计算器是否等同于 WEBENCH 工具？

    当我尝试将 WEBENCH 工具与 UCC28742配合使用时、它会预先填充输入、不会让我选择直流。
    此外、当设计计算器允许我毫无问题地进入1100VDC 时、电压范围输入非常低(最大400V)？

    如果可能的话、为了使电路正常运行、我想继续使用 UCC28742、因为我已经将这些器件集成到了我们的 PCB 软件中。

    我不想换用其他 IC 芯片、除非运行有显著改善、否则 UCC28742将无法实现。
     UCC28C42DRG4的运行方式是否与 UCC28742基本相同、或者是否有任何显著改进？   是否可以使用 UCC28C42DRG4实现谷底开关？

    此致、
    克林特

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    TI__Guru**** 2466550 points
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    这是我当前的原理图。
    不过、我认为我可能需要调整一些值。

    此致、
    克林特

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    TI__Guru**** 2466550 points
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    您好、Clint、

    由于您提到在 WEBENCH 中为 UCC28C42创建设计时遇到问题、我们只想检查您是否能够解决 WEBENCH 中的问题。 由此造成的混乱、我们深表歉意。
    关于您的应用电路设计、请遵循 Mike 提到的建议、如有任何疑问、请告知我们。

    谢谢、此致、
    Harish
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    TI__Guru**** 2466550 points
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    克林特

    UCC28C42是一款固定频率控制器。 它没有谷底开关。

    该工具建议辅助绕组的原因是建议 VDD 电压更高。 例如、在电气特性中、VDD 为25V。 Excel 计算器设计的典型原理图具有独立于输出的辅助绕组(因为它们位于变压器的相对侧)、因此它可以计算出最佳的匝数比。 为了实现电隔离、辅助绕组和输出绕组必须完全相互隔离。 到目前为止、此设计中没有任何东西会阻止谷底开关。

    此致、
    Eric