This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] UCC28780:UCC28780

Guru**** 2388470 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC28780, UCC24612
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/796799/ucc28780-ucc28780

器件型号:UCC28780
主题中讨论的其他器件: UCC24612

下面是我发送给 EPC 应用人员的一个文本。 当然,这也是我们需要得到你的评论的地方

对我来说,它会起作用!...但是你怎么想呢。

但现在我们来看一下:我想知道您是否可以查看我们打算在其中使用 EPC2034 (或其新实现) 200V 器件的应用。 同样 、它适用于低功耗低开关频率应用。 在这里使用 GaN 的原因纯粹是为了避免增加麻烦的抑制电路、或者纯粹是为了在小体积电路中获得更高的效率。

它涉及 UCC28780有源钳位反激式控制器。 这些 D/s 可选择使用初级侧 GaN (LMG3410)、但使用 MOSFET 通过 UCC24612同步控制器进行同步整流-似乎仅对 MOSFET 有用。

但我们希望使用 EPC2034! 在大多数地区、它们是相似的。

一个明显的问题是、  如果它小于 9.5V (或类似的值)、它会在 VDD 引脚电压下发送栅极驱动电平

因此、欺骗芯片提供安全5V 栅极驱动的一种方法是在 VDD 处提供5.2V 左右的电压、因为芯片的工作电压低至4V 左右。 或者不要在 REG 引脚上使用 VDD 并连接5V LDO 输出。

请参见随附的。

您对此有何看法?e2e.ti.com/.../EPC_5F00_SYNC_5F00_UCC28780.pptx

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Robin、

    我与 IC 设计人员讨论了这一点。  UCC24612旨在与 FET 配合使用、我们相信 GaN 的最大负 VDS 额定值为6V。  因此、该 SR 驱动器将不起作用。  目前、我们没有适用于 GaN 的 SR 驱动器解决方案。

    此致、

    Mike

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    谢谢 Mike。 你的观点得到了很好的考虑。
    我们从24612的数据表中得知、实际上 VDD 引脚可以保持未使用状态、我们使用外部 LDO 获得经过良好调节的5V 电压、并将其连接到 REG 引脚、使24612完全正常工作。 现在、这允许24612使用 GaN 运行。 这就是我要说的。
    我有一个 EVM、我很快就能找到。
    Thnx。
    Robin
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Mike:哎呀、我误读了你的文本。 让我看看 GaN 与 MOSFET 的负 VDS 额定值。 如果 MOSFET VDS 为负、体二极管会将其钳制为二极管正向偏置。
    总之、GaN 将具有更高的负 Vds -导致更多的损耗、此外、24612不覆盖该范围的负 Vds。
    它用于 SR 的低侧使用。
    如大多数应用手册中所示、如何将开关置于顶部而不是低侧。 在顶部使用具有一些优势、如应用中所述。
    这是如何工作的?

    Robin
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 Robin、

    只要输出电压不超过6V、它就可以在高侧工作。 这是我不保证的、但您可以尝试对其进行评估。

    此致、

    Mike