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[参考译文] UCC28780：UCC28780 PD 充电器/SR MOS 损坏

admin
Guru**** 2390735 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC28780EVM-002
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/796548/ucc28780-ucc28780-pd-charger-sr-mos-damage

器件型号：UCC28780

您好 Tis：
我 在 UCC28780EVM-002上测试 SR MOS VDS、

在轻负载条件下、我发现 SR Mos Vpeak 会超过150V、但 额定电压为150V、 MOSFET 是否会消磁？

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    TI__Guru**** 2390735 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    如果尖峰超过150V、则应重新调整缓冲器以确保不超过150V。 在 EVM 基准测试期间、我们没有看到这种高尖峰、因此尖峰可能不是真实的、也可能是真实的、因为板对板的容差。

    另一方面、如果 MOSFET 雪崩能力在能量低于雪崩的情况下出现电压尖峰、则有助于在150V 以上维持电压尖峰。

    但如果是真实的、则应对缓冲器进行修剪、使尖峰小于150V、但如果能量小于其雪崩、这些尖峰可能不会损坏 MOSFET。