根据数据表、BAT FET 在补电模式下作为理想二极管工作。
BATDRV 输出是如何工作的？
当 VSYS 电压降至 VBAT - VF (FET 的寄生二极管)以下时、BATFET 是否完全导通？
在我使用 EVM 进行的测试中、当 VSYS 电压从8.4V 下降到7.9V (由 VINDPM 控制)时、BATDRV 电压变为大约6V。
为什么 BATDRV 变为大约6V？ 如果处于完全开启状态、它是0V (VSYS - 10V)吗？
此致、
Kohei Sasaki
您好、Kohei San、
您描述的 BATDRV 行为是 BATFET 理想二极管行为的影响。 通过驱动栅极电压、理想二极管控制环路将在 BATFET 上保持30mV 的漏源压降。 随着系统通过 BATFET 的电流增加、栅极将被拉至更强的负电压、以减小 R_DS 电阻并保持恒定的压降。
在以下示波器捕获中、我将电池补充电流从0更改为3A。 随着流过 BATFET 的电流增加、您可以看到栅极电压相对于 VSYS 进一步被驱动为负、从而使 VBATT-VSYS 压降保持在接近恒定的水平。 在我的捕获中、与数据表中的30mV 标称值相比、我得到了更接近50mV 的值、但这可能是测量误差。 我应该使用差分探针而不是示波器数学。 但希望总体概念仍然清晰。
此致、
Steve
大家好、Kohei-San、
我通过将 IIN_DPM 限制设置为4A 来获取以下示波器捕获、然后以50mA 的增量逐渐升高我的电子负载、直到它刚刚超过适配器限制。
当适配器未处于 IIN_DPM 限制时、VSYS 将被调节至高于电池电压160mV 的水平。 这在捕获的左侧 VDS_BATFET 信号上显示为-160mV。 (在示波器捕获上、它看起来更像是-110mV、但我认为这只是测量偏移。)
一旦输入电流 完全达到 IIN_DPM 限制、ISYS 电流中的每个阶跃都会在 VSYS 中实现较小的(~60mV)向下阶跃。 这些步骤使 VSYS 更接近电池电压、然后最终低于 电池电压。 BATDRV 保持在 VSYS 上、直到其中一个步骤使 BATFET 上的电压大于30mV。 一旦发生这种情况、您就可以在 BATDRV 中看到一个阶跃函数、理想二极管环路在该函数中接合、然后您可以看到 VDS_BATFET 不再步进、因此它被调节到该值。
同样 、需要明确的是 、示波器捕获上的 VDS_BATFET 信号似乎从-110mV 开始、到80mV 结束、但我认为这是测量中的偏移、它实际上从 -160mV 开始、到30mV 结束。
因此、基于这一结果、我认为您对上述内容的理解是完全正确的。 BATFET 完全关闭、直至 D-S 电压超过30mV、然后理想二极管环路启动。
此致、
Steve
