[参考译文] LMG1020：如何提高 LMG1020的输出脉冲电压以确保标准电平 MOSFET 完全关断？

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LMG1020具有5A 的极强峰值灌电流 以及36m Ω 的极低关断阻抗、有助于 在关断期间快速将栅极接地。 LMG1020设计用于驱动 GaN FET 或 MOSFET、但 GaN FET 的阈值电压要低得多、因此 LMG1020具有分离输出、允许对输出强度进行微调、以确保仅在发出指示时超出阈值。 分离输出也可用于实现极短的关断环路。 可在 OUTH 上施加一个低值电阻器以帮助实现振铃、并 可将0欧姆电阻器施加到 OUTL 以帮助确保 FET 完全关断。 查看此应用手册、该手册可帮助您选择这些栅极电阻器、如果您有任何其他问题、请告诉我。

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从 CSD19532KTT 数据表首页的 Rdson 与 Vgs 电压图中可以看出、FET 在6V 时刚好达到其5.3m Ω 的最小 Rdson。 将 Vgs 驱动电压增加到10V 可实现4.6m Ω 的 Rdson、这只是0.7m Ω 的差值。 这是一种折衷、因为负载电流和导通损耗需要非常大、才能减轻额外的栅极驱动损耗、而额外的栅极驱动损耗取决于驱动电压的平方。 如果 您使用 LMG1020将驱动电压降低到5V、您仍然可以使用5.7m Ω 的低 Rdson 完全导通 FET。 Rdson 的额外0.4 m Ω 是 您将遇到的折衷。  这 种小 Rdson 差异不应影响典型 LMG1020 应用中的系统。  该 FET 的最大栅极阈值电压对于 LMG1920的5V 驱动电压而言不是问题、因为 在最大栅极阈值以上还有额外的(5V - 3.2V) 1.8V 余量。 超过最小到最大栅极阈值的速度越快 、FET 漏极上上升/下降时间的变化就越小。 LMG1020可通过将自身放置在非常靠近 FET 栅极和源极的位置来减少使脉冲下降的布局寄生效应、从而实现这种快速上升和下降时间。 因此、当使用良好的布局技术时、栅极应能够足够快地达到其阈值、从而将开关损耗和传导损耗降低到可接受的水平。

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