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[参考译文] TPS53355：关于内部 FET 的 Qg

admin
Guru**** 2387080 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/842190/tps53355-about-qg-of-internal-fet

器件型号：TPS53355

您好、E2E、

请告诉我内部 higf 侧 FET 的 Qg 有多少。 我想估算连接到 VBST 引脚的自举电阻器的功率损耗。

此致、

ACGUY

  • 0
    TI__Guru**** 2387080 points
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    您好！

      此 EVM 使用2欧姆电阻器1/16W 0603电阻器、您可以将其用作参考。 数据表中没有 Qg 信息。 让我检查一下这些信息是否可用。

    此致、

    Gerold

  • 0
    TI__Guru**** 2387080 points
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     Gerold、您好！

    您有更新吗？

    此致、

    ACGUY

  • 0
    TI__Guru**** 2387080 points
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    AC Guy、

    我花了一些时间才知道细节。

    高侧 FET 具有大约10nC 的栅极电荷。

    在驱动器内部还有一个1nC 的动态电荷以及从 BOOT 到 SW 的大约300uA 的静态负载电流。

    在1MHz 开关频率下、 引导电流为10.5mA、每欧姆引导电阻的功耗为110uW。

    由于自举电阻器在电阻高达10欧姆时的功耗低于2mW、因此通常会忽略自举电阻器中的功耗。