尊敬的专家:
客户对8.1.2.5高栅极电容应用的描述感到困惑。
请就下面列出的问题提供建议。
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数据表中的高 栅极电容应用的说明
据说、大栅极电容可能会产生较大的异常电流尖峰。
此外、还描述了在 Ciss 超过4000pF 时添加齐纳二极管的方法。
不过、齐纳二极管可以钳制电压、但无法钳制电流。
(1) Ciss 增大时发生的电压事件是什么?
(2)齐纳二极管可抑制什么?
(3)为什么需要添加外部齐纳二极管?
功耗? 还是另一个?
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感谢您的帮助。
此致、
新一
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尊敬的专家:
客户对8.1.2.5高栅极电容应用的描述感到困惑。
请就下面列出的问题提供建议。
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数据表中的高 栅极电容应用的说明
据说、大栅极电容可能会产生较大的异常电流尖峰。
此外、还描述了在 Ciss 超过4000pF 时添加齐纳二极管的方法。
不过、齐纳二极管可以钳制电压、但无法钳制电流。
(1) Ciss 增大时发生的电压事件是什么?
(2)齐纳二极管可抑制什么?
(3)为什么需要添加外部齐纳二极管?
功耗? 还是另一个?
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感谢您的帮助。
此致、
新一
您好、 Shinichi、
它被描述为异常大的故障电流而不是栅极电流....
较高的 Ciss 不会触发任何电压事件。 需要栅极钳位来在故障事件期间保护 FET。 例如、在短路故障期间、Vout 变为零、从而在控制环路运行之前增加 Vgs。 这就是要求添加外部钳位以辅助 TPS2491器件的内部齐纳二极管的原因。
请参阅 http://www.ti.com/lit/ug/slvu099a/slvu099a.pdf 中的原理图 并进行相应使用。
BR、Rakesh
您好、Rakesh、
感谢你的答复。
我知道齐纳二极管在发生故障电流时用于钳位 Vgs。
您能不能再详细介绍一下 Ciss 和外部二极管。
我认为如果 MOSFET 的 Ciss 较大(>4000pF)、则需要的放电时间越长、功耗就越大、然后需要外部二极管。
这种理解是否正确?
如果是、是否需要考虑通过添加 Ciss 和外部栅极电容器的电容来是否需要外部二极管?
感谢您的帮助。
此致、
新一