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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/840304/ucc21520-driving-2-parallel-sic-mosfets
大家好、 我们的客户正在设计 LLC 全桥转换 器、他们希望在全桥中使用2个并联 SiC、而不是1个开关。
UCC21520输出是否可用于驱动2个并联 SiC MOSFET？ 需要考虑哪些因素？ 提前感谢。
此致、 Jejomar
您好、Jejomar、
感谢您的提问。 我在高功率驱动器组的应用团队工作。
UCC21520具有4A/6A 拉电流/灌电流能力、应能够驱动并联 SiC FET 的容性负载。 并联高功率 FET 时、通常需要考虑一些注意事项、以确保 FET 不会出现栅极到栅极振荡。 建议的电路注意事项因制造商而异。
例如、请随时阅读 Cree/Wolfspeed 公司的本应用手册。
https://www.wolfspeed.com/downloads/dl/file/id/553/product/0/dynamic_and_static_behavior_of_packaged_silicon_carbide_mosfets_in_paralleled_applications.pdf
SiC FET 器件型号/制造商是什么？
如果这回答了您的问题、您可以按绿色按钮吗？ 如果没有、请随时提出更多问题。
谢谢、此致、
John
尊敬的 John： 感谢您的回答并分享应用手册。 我们将使用 C2M0080120D (或 C2M0040120D 作为替代产品)、CREE SiC MOSFET。 此致。 Muhammed Yusuf
您好、John、 您能否帮助我们解决客户即将使用的上述 SiC MOSFET 所需的注意事项？ 非常感谢您的参与。 此致、 Jejomar
您好、Muhammed、
当并联运行 FET 时、务必尽可能均衡驱动电路、以便在每个 FET 之间实现良好的动态电流平衡。 这在我之前链接的 Cree 应用手册中进行了说明。
下面链接的应用手册第3.1节提供了一个良好的栅极驱动布局示例。
http://www.ti.com/lit/an/slua897/slua897.pdf
