[参考译文] TPS28225：EMC 行为

您好、Elieser、

感谢您关注 TPS28225。 听起来应用可以根据您的需求正常工作、但存在 EMI 问题。 一般布局指南就像您所暗示的那样、是对驱动器和功率级进行布局的推荐做法。 我会提及一些对您来说可能很明显的事情、但也会包括一些有关动力传动系统的考虑。 由于这是一个无线充电器、我希望半桥功率级开关节点上的过度振铃将是一个大问题、因为这将驱动一个较大的物理区域线圈。

一般准则：保持驱动器输出到 MOSFET 栅极的长度、以及 MOSFET 源极到驱动器接地参考走线长度较短、以减少寄生电感。 将 VDD 和 BOOT 电容器靠近 IC 引脚放置。 确保驱动器输入信号不会穿过高 dV/dt 布线以减少感应噪声。

对于动力总成：使半桥动力总成环路从输入滤波器电容到高侧 FET 漏极、高侧漏极到低侧源极以及低侧源极到输入电容负极端子的短路。 将高频陶瓷电容器放置在非常靠近 MOSFET 半桥的位置可以降低动力总成开关环路的寄生电感。 这有助于减少开关节点电压过冲和振铃。  对于开关节点布线、应避免 将动力总成开关节点布线与 接地或输入电压布线重叠、以减小寄生电容。 在许多情况下、某些重叠是不可避免的、但会最大限度地减小重叠面积。

功率传动系 MOSFET 选择：如果 MOSFET 半桥功率传动在 MOSFET 死区时间内具有电流传导、两个 MOSFET 均关断、则 MOSFET 体二极管中将存在电流传导。 选择具有低体二极管 TRR 或反向恢复时间的 MOSFET。 如果您可以找到 TRR 较低且声称具有"软恢复"特性的器件、这也将是有益的。  体二极管恢复时间较长会 在体二极管关断时导致动力总成布线中出现高 di/dt。 这会导致开关节点上出现高压尖峰和振铃。

缓冲开关节点：即使布局和器件选择良好、开关节点电压尖峰和振铃也可以显著降低、但仍然存在。 如果 EMI 性能对开关节点振铃很敏感、我怀疑、最好考虑在半 桥上添加缓冲器网络。

有关缓冲器电路设计的建议、请单击此处。 https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/archive/2016/05/05/calculate-an-r-c-snubber-in-seven-steps?keyMatch=snubber&tisearch=Search-EN-Everything

有关布局的建议、请参阅此半桥动力总成参考设计。 http://www.ti.com/tool/TIDA-050022

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