[参考译文] LM1085：数据表和模型之间的热性能信息差异

Mark 您好：

 您能给我更多的信息吗？您所提到的哪种型号可为您提供 3 C/W 的 θ JC 和3.043 C/W 的 θ JB？

对于 LM1085、KTT 封装的热阻比 NDE 封装高得多。 在高功率耗散条件下(如4W)、NDE 可能是更好的选择。  

此致、

最小

尊敬的 Min：我将联系客户、为您提供其他详细信息。 非常感谢

您好！

使用3 C/W theta JC 和3.043 C/W theta JB 的模型 是 Raytheon 过去用于对该组件建模的历史值。 我正在尝试验证我们在对结至电路板建模时应使用的内容。  NDE 和 KTT 是否应具有该不同的耐受值？  许多组件制造商只会提供到外壳(底部)的 θ JC 值。  当它们给出一个 theta JB 值时、它们假定组件应该如何被安装到电路板上。  我只是想对这部分作出一些澄清。

那么、KTT 的 θ JB 值23.3已经过验证、是否准确？ 这是合理的、因为它更高、但这个数字看起来不正确、除非我假设的4W 功率耗散不正确。 谢谢你。

您好、Aaron：

 我已将您的问题转交给负责封装热建模的工程师。 我将在本周结束时通知您。  

此致、

最小

您好、Aaron：

这两种封装之间的 θ JB 差异的一个可能性是、在热分析中、NDE 封装没有将引脚连接到电路板、因为它不是典型的 SMT 封装。  因此、Theta-jb 会更低。  KTT 封装的引脚很可能会与电路板接触、这会使 Theta-jb 更高。

此致、

最小

我仍然没有收到我正在寻找的答案。  我对 NDE 封装不感兴趣。  我只想知道 KTT 封装的 R_theta_j_b 值是否正确且已经过验证？  23.1°C/W 是否正确？ 它来自哪里？