This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] bq24640:bq24640问题

Guru**** 2386600 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ24640, CSD17573Q5B, LM5109B
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/840218/bq24640-bq24640-issue

器件型号:bq24640
主题中讨论的其他器件: CSD17573Q5BLM5109B

关于 BQ24640我的客户有以下问题?
是否可以将感测电阻更改为4m 欧姆、以实现25A 快速充电?
2.能否推动两个并联的 CSD17573Q5B MOS?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Hsu、

      理论上、只需更改感应电阻器即可获得25A 充电电流、但我们建议电流最高为10A。 原因在于充电电流较高、因此需要具有高 Qg 的额定体积更大的 MOSFET。 内部栅极驱动强度很可能不够强、无法驱动这些外部 MOSFET、并且由于打开和关闭 HSFET 和 LSFET 产生的开关损耗增加、导致效率降低。 可以包含外部半桥栅极驱动器以提高内部栅极驱动强度(例如 LM5109b)、但我们尚未验证这样的解决方案。 在25A 充电电流下、布局非常重要。