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器件型号:bq24640 主题中讨论的其他器件: CSD17573Q5B、 LM5109B
关于 BQ24640我的客户有以下问题?
是否可以将感测电阻更改为4m 欧姆、以实现25A 快速充电?
2.能否推动两个并联的 CSD17573Q5B MOS?
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关于 BQ24640我的客户有以下问题?
是否可以将感测电阻更改为4m 欧姆、以实现25A 快速充电?
2.能否推动两个并联的 CSD17573Q5B MOS?
您好、Hsu、
理论上、只需更改感应电阻器即可获得25A 充电电流、但我们建议电流最高为10A。 原因在于充电电流较高、因此需要具有高 Qg 的额定体积更大的 MOSFET。 内部栅极驱动强度很可能不够强、无法驱动这些外部 MOSFET、并且由于打开和关闭 HSFET 和 LSFET 产生的开关损耗增加、导致效率降低。 可以包含外部半桥栅极驱动器以提高内部栅极驱动强度(例如 LM5109b)、但我们尚未验证这样的解决方案。 在25A 充电电流下、布局非常重要。