[参考译文] LM5109B：高侧导通期间的 LM5109B HB 至 HS 电压

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/839646/lm5109b-lm5109b-hb-to-hs-voltage-during-high-side-turning-on

器件型号：LM5109B

大家好、团队、

客户对 LM5190B 的 HB 到 HS 电压有疑问。我在高侧打开期间附加了原理图和波形、作为下面的 pdf。

/cfs-file/__key/communityserver-discussions-components-files/196/LM5109B.pdf

客户有一些问题。请提供建议吗？

Q1)当 LM5109B 接通高侧 FET 时、 HB 到 HS 电压在瞬态期间变为(增加) 25.6V (平均值为40nsec)。尽管它超过了绝对最大值(18V)、但 LM5109B 是否可以接受？

Q2) 您是否会建议我们如何将 HB 到 HS 的电压提高到小于18V？

Q3) 为何此时 HB 到 HS 的电压会增加？为何 HB 电压的上升速度快于 HS 电压？它是否具有自举功能？

这3个问题从 LM5109B.pdf 中的日语问题中翻译出来。非常感谢您的建议。

此致、
Akihisa Tamazaki

6 年多前

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2529560 points

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您好、Akihisa、

感谢您为客户提供 LM5109B 支持。

我将回答客户的问题并提出建议。

对于问题1：我们不能建议超过数据表中的绝对最大额定值。我将建议进行更改以降低电压尖峰、或确认测量中的感应电压是否高于实际值。

对于问题2：在高侧导通之前、似乎正在发生 HB-HS 尖峰。虽然示波器图未显示过多的负 HS 电压尖峰、但在某些情况下、当低侧 FET 关断且 HS 电压由于体二极管导通而变为负时、可能会出现负 HS 电压、由于 VDD 由自举二极管提供、并且 HS 变为负电压、因此该负 HS 电压可能会对 HB 电容器过度充电。降低 HB 充电峰值电压的一种方法是增大 Rboot 电阻值和/或增大引导电容器值。确认 HB-HS 电容器位于 IC 引脚附近、以减少走线电感。确认示波器探头连接在靠近 IC 引脚的位置。

问题3：我在先前的讨论中回答了这一点。通常可能的原因是如果存在负 HS 电压、HB-HS 电容器可能会过充。

确认这是否能解决您的问题、或者您可以在此主题上发布其他问题。

此致、

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2529560 points

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Richard - San、

感谢您的评论。

此致、
Akihisa Tamazaki

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