[参考译文] BQ77915：休眠模式问题

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/838446/bq77915-hibernation-mode-issue

器件型号：BQ77915

我已经针对使用 Bq77915的6节电池进行了设计。我将使用电阻分压器进行测试。

测试1：(正常模式)

对于上部 IC、我通过10K 电阻器将 PRES 连接到 VDD。将电压增加至24.2、以检查是否关断 CHG MOSFET。但 CHG MOSFET 会持续导通和关断、直到24.1V、最后关断

将电压降低至17V、以检查 DSG MOSFET 是否转动。 DSG MOSFET 关闭而不会出现任何问题。

测试2 (休眠模式)

我一直打开上部 IC 的 PRES 引脚。现在、它处于休眠模式。

现在、一旦电压达到23.2V DSG MOSFET 导通且 CHG MOSFET 持续导通和关断、电压便会缓慢增大。

您能解释一下为什么会发生这种情况，使用电池进行测试是否合适？

6 年多前

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2558250 points

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您好、Manoj、

在休眠模式下、两个 FET 都应关闭。正常模式下 FET 的状态取决于电池电压选项。您能否向我发送原理图以便我查看？

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2558250 points

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您好、Shawn、

我随函附上了原理图、请仔细研究、并尽早解决问题。

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2558250 points

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您好、Manoj、

我已经查看了您的原理图并提供了一些反馈。

将上部器件的 DSG 和 CHG 引脚连接到下部器件的 CTRD 和 CTRC 引脚的电阻器应为10Mohm。
确保上部器件的 LD 引脚通过一个10Mohm 电阻器连接到上部器件的本地接地。这是数据表图19中的 R2。
Rdsg2 (数据表中的 RDSG)应为4.5k Ω。
Rchg2 (数据表中的 RCHG)应为1k Ω。
最好在下部器件的 CBI 引脚上添加一个10kOhm 下拉电阻器。

您可以使用 BQ77915数据表中的图19作为2个器件堆叠的参考。确保再次仔细检查原理图、查看我们是否遗漏了任何内容。

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2558250 points

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你(们)好，Shwan

即使在进行了您提到的更改后、也是相同的结果。

一旦电压达到23.3V、MOSFET 会在休眠模式下持续导通和关断。

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2558250 points

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你(们)好、Shawn

是否可以知道控制 MOSFET 的 IC 的内部电路

0 admin 6 年多前

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您好、Manoj、

当器件处于休眠模式时、两个 FET 都应关断。可能会出现导致器件退出休眠模式的情况。电路中可能会出现一些泄漏、从而导致这种情况、甚至引脚上会出现一些额外的磁通。当您认为 PRES 引脚处于休眠模式时、请仔细检查该引脚的值、并确保该引脚真正悬空且不会被拉高。

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