早上好、我正在寻找一个 NMOS、用于开漏应用、其上拉电阻为30Mohm、连接至3V。 我的要求是 NMOS 关断条件下的漏极电压(VGs=0)保持至少1V、因此
漏源泄漏电流必须非常低的 nA。 经过一些研究、我发现物体中的 p/n 似乎是此应用的最佳组件。 但我的条件与数据表不同、因此当 VGS=0V 且 Vpullup=3V 时、我无法估算 IDSS 电流(数据表中仅 VGS=0V、VDS=16V IDSS=50nA 最大值)。 这是怎么做的? 我可以为 LEKage 电流设置一个值吗?
谢谢、此致。