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[参考译文] CSD15380F3:泄漏电流

Guru**** 2380860 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/838385/csd15380f3-leakage-current

器件型号:CSD15380F3

早上好、我正在寻找一个 NMOS、用于开漏应用、其上拉电阻为30Mohm、连接至3V。 我的要求是 NMOS 关断条件下的漏极电压(VGs=0)保持至少1V、因此

漏源泄漏电流必须非常低的 nA。 经过一些研究、我发现物体中的 p/n 似乎是此应用的最佳组件。 但我的条件与数据表不同、因此当 VGS=0V 且 Vpullup=3V 时、我无法估算 IDSS 电流(数据表中仅 VGS=0V、VDS=16V IDSS=50nA 最大值)。 这是怎么做的? 我可以为 LEKage 电流设置一个值吗?

谢谢、此致。

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    何罗杰

    感谢您关注 TI MOSFET。 我们可以保证的唯一 IDSS 泄漏值是在数据表中指定的条件下的值:VGS = 0V、VDS = 16V、T = 25C、IDSS <= 50nA 最大值。 在 Vds = 5V 时、我们有3个批次的样本的特性数据、平均值@ 25C 约为1nA、最大测量值< 10nA。 请注意:IDS 具有正温度系数。 例如、平均值@ Vds = 5V 增加到大约3nA @ 125C。 提醒一下、我们仅在数据表中的条件下进行测试、无法保证 IDSS 在其他条件下正常运行。 希望这对您有所帮助。

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    早上好、感谢您的回复。 我将 考虑我的应用的这种信息。

    此致。