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您好!
我使用 LM5145芯片设计具有高达12A 电流输出要求的30V 至24V 直流/直流转换器。 我有 LM5145EVM-HD-20A、并且正在运行一些评估测试。 我已修改反馈分压电阻器以提供24V 输出。 现在、在24V 时、其输出端提供的最大电流约为5.1A、不会超过该值。 想知道 EVM 是否有任何内部热限制或功率限制? 此外、还需要对 EVM 进行任何其他更改才能获得更高的输出电流? 请提供任何帮助。
谢谢、
胡尔
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您好!
我使用 LM5145芯片设计具有高达12A 电流输出要求的30V 至24V 直流/直流转换器。 我有 LM5145EVM-HD-20A、并且正在运行一些评估测试。 我已修改反馈分压电阻器以提供24V 输出。 现在、在24V 时、其输出端提供的最大电流约为5.1A、不会超过该值。 想知道 EVM 是否有任何内部热限制或功率限制? 此外、还需要对 EVM 进行任何其他更改才能获得更高的输出电流? 请提供任何帮助。
谢谢、
胡尔
您好、您好、
请使用 LM5145快速启动计算器(从 LM5145产品文件夹下载)来建立正确的组件值、尤其是补偿。 请注意、EVM 设置为使用47uF/10V 电容器和220uF/10V 电解电容器实现5V 输出、因此需要将这些电容器替换为10uF/50V 陶瓷电容器。 此外、MOSFET 目前是80V 器件、因此可替换为合适的40V 或60V 器件、例如。 CSD18563Q5A。
在电流限制方面、低侧 FET 的 Rdson 会建立感测电压。 这通过 ILIM 引脚上的6ns 时间常数进行 RC 滤波(以防止 ILIM 上的负电压摆幅)。 在高占空比下、请勿对该 RC 滤波器进行超大、因为它会缩短低侧 FET 导通时的有效感应时间。
此致、
Tim