[参考译文] BQ25713：BATDRV 开关时间

您好、Shinya、

FET 的栅源极行为具有电容行为、但如果您查看 FET 导通的 VI 曲线、它看起来与充电电容器的类似曲线不同。 FET 倾向于快速充电至平坦电压(您可以搜索"Miller 高原"以了解更多信息)、即使电流继续流入栅极、也保持在该平坦电压附近、 然后、在经过一段时间的平坦状态后、快速将剩余部分充电至它们被上拉至的任何电压。

为了正确地对 FET 的开通时间建模、您需要对该 VI 曲线建模、然后通过确定驱动电流
I_DRV =(V_DRV - V_GS)/ 1.2kOhm、其中对于该器件、V_DRV = 6V。

一种常见的估算方法是将 V_GS 的平坦电压用作恒定值、然后您可以确定恒定驱动电流、即
I_DRV ~(6V - V_PLAT)/1.2k Ω

估算完此电流驱动后、您可以使用栅极电荷来确定驱动栅极所需的时间
T = Q_G / I_DRV

栅极电荷和平坦电压都应在 FET 数据表中指定。

关于第二个问题、正确的是、PFET 的体二极管将允许电池放电以保持系统电压、即使 PFET 处于导通状态也是如此。 因此、系统应保持接近 V_BATT - V_f、其中 V-f 是反向栅极二极管的正向压降。 一旦 PFET 打开、系统电压将变为 V_BATT - R_DSON*I_BATT。


此致、
Steve