[参考译文] UCC28700：UCC28780

Eric

是的、我认为是这样。

我怀疑他们的"评估"版本是否会运行此模型、您知道吗？

另外：Thnx、用于指出视频。  当然、我看过他们、但在第一次运行时没有足够注意 Cclmap 电压。

有趣的是-我有点晚了- QHi 的体二极管将 QLow MOSFET 钳制到一个值并为钳位 C 充电。在这段短暂的时间里、这是二极管发挥的传统作用。

在此延迟之后、在 ACF 情况下、打开开关以开始 ZVS 过程。 而旧方案只会使 QLow 电压保持高电平并保持振铃、直到 nex 栅极导通时间。  

但是、GaN 没有二极管。

因此、UCC28780必须具有 QHi 导通方案以代替自换向体二极管、对吧？

此外、对于 GaN 情况、它是否不会隐式假定第三象限 V-I 特性几乎与第一象限相似？ (GS66508的案例记录很好)。 TI GaN 是否具有类似的行为？ 我当然会假设情况如此。

-robin

Eric

Thnx 要求澄清。

这是否意味着浮动 LMG3410源极必须连接到以 GND 为基准的 LMG3410漏极-该节点连接到谐振电容器的左侧？

由于这是启动时唯一的方法、因此源极会获得电压、而您所描述的器件会作为二极管导通、直到栅极驱动器出现。

但在这种连接中、GaN 始终在第三象限导通、其中 Vds 始终高于第一象限 Vds。 这是正确的想法吗？

不过、在大多数情况下、如果这是 MOSFET、源极将朝向负载-通过整流产生直流电。

除了启动时、MOSFET 始终在第一象限中导通。

R