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[参考译文] UCC28700:UCC28780

Guru**** 2538955 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC28780, LMG3410R070

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/791433/ucc28700-ucc28780

器件型号:UCC28700
主题中讨论的其他器件:UCC28780LMG3410R070

Ulrich

我在 EVM 上观察到(我今天交付)、它们使用了3倍.33 μ F 的泄放电压为2M。

我尚未运行 calc、但为什么要运行3X .33uF?

我根据我的需求进行的计算迫使我接受"直流降额至40%"、但为什么在没有直流电的情况下会接受该值?

#2问题是它会谐振-因此必须假设电流在导通期间为双极。 那么在这里、很多电介质是不可接受的。

#如果在此处使用逻辑极,我会选择一个 NPO,它可以通过估算其两端的电压来处理谐振期间的电流(来自 Iclmp*ZR>>sqrt (L/C)?)。

如果泄漏电流为3 μ H、0.33 μ F、Z 为 sqrt (3/.3)几乎不超过3V

为什么要使用250V 额定值?

这是因为次级侧谐振是不是由于 NPS 而形成的另一个峰值吗?

这对于超紧凑密度至关重要-了解 Cclmp 将承受的电压。

它是否有任何直流电压?

我想听取你的意见。

Thnx

R

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    Robin

    钳位电容器上的电压被限制为通过变压器反射的输出电压。 添加了一个裕度来考虑任何电压尖峰、并针对施加在陶瓷电容器上的电压降低电容、以提供所使用的250V 额定值。

    我建议观看此有关有源钳位反激式运行的视频、以查看钳位电容器和功率级其余部分上出现的电压和电流应力。

    第1部分: training.ti.com/active-clamp-flyback-part-1
    第2部分: training.ti.com/active-clamp-flyback-part-2

    如果您对参数如何影响电压和电流应力感兴趣、我建议您使用我们的 SIMPLIS 模型来更改参数、以了解其如何影响运行。
    基于 GaN 的 SIMPLIS 模型: www.ti.com/.../slum626
    基于 SI 的 SIMPLIS 模型: www.ti.com/.../slum643

    此致、
    Eric
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    Eric

    Thnx 很多。

    明白了。

    我是否不需要 安装 Simplis 和/或购买许可证来探索这些模型?

    -robin

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    Robin

    您需要在计算机上安装 SIMPLIS 才能运行我们的 SIMPLIS 模型。

    此致、
    Eric
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    Eric

    是的、我认为是这样。

    我怀疑他们的"评估"版本是否会运行此模型、您知道吗?

    另外:Thnx、用于指出视频。  当然、我看过他们、但在第一次运行时没有足够注意 Cclmap 电压。

    有趣的是-我有点晚了- QHi 的体二极管将 QLow MOSFET 钳制到一个值并为钳位 C 充电。在这段短暂的时间里、这是二极管发挥的传统作用。

    在此延迟之后、在 ACF 情况下、打开开关以开始 ZVS 过程。 而旧方案只会使 QLow 电压保持高电平并保持振铃、直到 nex 栅极导通时间。  

    但是、GaN 没有二极管。

    因此、UCC28780必须具有 QHi 导通方案以代替自换向体二极管、对吧?

    此外、对于 GaN 情况、它是否不会隐式假定第三象限 V-I 特性几乎与第一象限相似? (GS66508的案例记录很好)。 TI GaN 是否具有类似的行为? 我当然会假设情况如此。

    -robin

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    Robin

    我不确定我们的模型是否会在 SIMPLIS 的试用版中运行。

    虽然 GaN 没有体二极管、但当从源极到漏极施加电压时、它通过传导电流来模拟体二极管的行为。 由于 GaN FET 的栅极和源极通过栅极驱动器连接、因此当您向源极施加电压时、您需要向栅极施加电压。 当栅漏极电压超过阈值电压时、GaN FET 会导通、从而使电流从源漏极传导到漏极。 不过、您需要注意的是、电流不会在很长的时间内导通、因为等效的体二极管压降可能为几伏。 这就是为什么 UCC28780等基于 GaN 的 SMPS 具有最短死区时间至关重要的原因。 TI GaN 具有该第三象限导通行为。

    此致、
    Eric
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    Eric

    Thnx 要求澄清。

    这是否意味着浮动 LMG3410源极必须连接到以 GND 为基准的 LMG3410漏极-该节点连接到谐振电容器的左侧?

    由于这是启动时唯一的方法、因此源极会获得电压、而您所描述的器件会作为二极管导通、直到栅极驱动器出现。

    但在这种连接中、GaN 始终在第三象限导通、其中 Vds 始终高于第一象限 Vds。 这是正确的想法吗?

    不过、在大多数情况下、如果这是 MOSFET、源极将朝向负载-通过整流产生直流电。

    除了启动时、MOSFET 始终在第一象限中导通。

    R

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    Robin

    当 LMG3410按照原理图所示的方式连接 FET 的 UCC28780数据表时、当从源极到漏极的电压足够高时、它将传导电流至第三象限。 对于 LMG3410R070、数据表中的电气特性具有"VSD 第三象限模式源漏电压"参数、用于定义压降。

    此致、
    Eric