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[参考译文] LM26001B：内部 FET 信息

admin
Guru**** 2643995 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1170499/lm26001b-internal-fet-information

器件型号：LM26001B

您好、E2E 专家、

你好。

 除非我有关于内部 FET、尤其是总栅极电荷 Qg 的信息、否则我无法手动计算必要的 CBOOT。 您有此信息吗？

参考是下面的应用手册。

www.ti.com/.../slua887.pdf

 提前感谢您的支持。

此致、

CSC

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    TI__Guru**** 2643995 points
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    建议的 CBOOT 为100nF。 10Vdc 额定值应该足够了。

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    TI__Guru**** 2643995 points
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    您好、Marshall、

    你好。

    我了解本器件数据表建议使用100nF。 这里有一个使用22nF 的原理图、我想知道这是否是一个问题。 电路设计人员不愿意更改该值、因为他们过去使用的是22nF。 您能告诉我、如果允许他们继续使用22nF 值而不是建议的100nF 值、是否存在任何危险？

    此致、

    CSC

  • 0
    TI__Guru**** 2643995 points
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    您好！

    我会按照100nF 的数据表建议推荐它们。

    这是团队根据产品设计和验证提出的结果。

    如果客户考虑较低的值、我建议他们进行全面的工作台评估、重点是在应用负载范围内以最大占空比运行器件。